通过采用凹槽型GaN MIS‑HEMT纵向器件的设计,不仅可以有效减小器件的尺寸,在相同的耐压条件下实现更高的集成度和密度,而且通过MIS栅极结构的优化,显著提高了栅极的绝缘性能,减少了漏电流。
求助~内容是关于做AlGaN/GaN hemt栅漏电流的仿真,研究肖特基栅极隧穿效应的影响,silvaco软件学了两个月,用起来不熟练,现在在跑输入特性的曲线,加了二维电子气,但是Tonyplot的cutline出来显示是加的正电荷,改了好久,不知道咋改了,有没有大神能指导一下!! 送TA礼物 来自iPhone客户端1楼2020-04-14 23:45回复 ...
金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种凹槽型GaN MIS-HEMT纵向器件及其制备方法”的专利,公开号CN 118763105 A,申请日期为2024年9月。 专利摘要显示,本发明公开了一种凹槽型GaN MIS‑HEMT纵向器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括漏极金属,所述漏极金...
通过采用凹槽型GaN MIS‑HEMT纵向器件的设计,不仅可以有效减小器件的尺寸,在相同的耐压条件下实现更高的集成度和密度,而且通过MIS栅极结构的优化,显著提高了栅极的绝缘性能,减少了漏电流。