AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内的正负电荷中心发生分离,...
Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特性 1. 器件结构与工艺 通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现,PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性;但是由于材料属性和生长工艺的局限性,采用AIN完全代替Al2O3栅介质层改善器件界面特性的同时也牺牲了一部分的器...
GaNHEMT 器件结构示意图如图 2-13 所示。GaNHEMT 中有一层由于极化效应而产生的二维电子气,它可作为器件的导通沟道,栅极通过耗尽二维电子气来实现器件的开关。像其他场效应晶体管一样,氮化镓晶体管具有较高的工作频率,在集成电路中可用作高频数字开关,可用于高频产品,如手机、卫星电视接收机、电压转换器、雷达设备和...
随着半导体技术和材料的发展，对MESFET的微波特性进行了改善和提高，出现了砷化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，铟化磷高电子迁移率晶体管(PHEMT)，异质结场效应晶体管(HFET)等。下图给出了HEMT和PHEMT器件物理结构示意图：可以看出，在HEMT和PHEMT结构中，增加了一个二维电子气，二维电子气中电子具有更高的迁移速率，...
一种背面场板结构HEMT器件,包括从下往上依次设置的背面场板,衬底,缓冲层,第一半导体层和第二半导体层,第二半导体层上设置有漏极和源极,第一半导体层与第二半导体层为异质结构且在两者的界面处形成有二维电子气沟道,漏极和源极与第二半导体层形成欧姆接触并通过所述二维电子气沟道相连接;当HEMT器件为MIS结构HEMT...
1.AlGaN/GaN HEMT器件的结构 HEMT器件是三端电压控制器件,它有三个电极,分别是栅极、源极和漏极。栅极通常是肖特基接触电极,源极和漏极是欧姆接触电极。通过调节外加栅极电压(相对于源极),可以调控沟道中的二维电子气(2DEG)密度,从而实现栅极电压和漏极电压对漏极电流(输出电流)的控制。其工作原理可以用沿着垂直...
1.AlGaN/GaN HEMT的衬底和生长方法 AlGaN/GaN异质结型HEMT的基本结构如图1所示,GaN是在衬底上进行外延生长形成的,而不是像Si一样可以生成单晶,在单晶上形成器件。GaN是Ⅲ-Ⅴ族化合物材料,很难生成大块的单晶GaN材料,因此需要借助于衬底材料,采用先进的外延方法生成高质量的GaN材料。外延生长要求衬底与外延层有良好...
1.一种gan基hemt器件结构,包括蓝宝石衬底(1),其特征在于:所述蓝宝石衬底(1)的顶部从下往上依次生长有gan缓冲层(2)、道沟层(3)、algan层(4),所述algan层(4)的顶部设置有栅极(5),所述algan层(4)的两侧顶部依次设有源极(7)和漏极(8),所述栅极(5)的顶部沿水平面向一侧延长,且所述栅极(5)的底部为...
据Eric介绍,Transphorm HEMT 氮化镓产品的独特性源于其独特的产品内部结构。从半导体的结构来看,HEMT 氮化镓产品跟普通MOSFET不一样,电流是横向流,它是在硅的衬底上面长出氮化镓,它是S极垂直往上的,上面是S极流到D极,与传统的MOS管流动不一...
GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)器件是一种基于氮化镓材料制造的高性能功率放大器。它具有很高的电子迁移率和高电子浓度,使得它在射频和微波应用中表现出色。在GaN HEMT器件中,外延结构和原理是非常关键的部分,它直接影响着器件的性能和稳定性。 GaN HEMT器件的外延结构一般由氮化镓衬底、氮化镓发泡层、氧化铝绝缘层...