专利名称 钉书机(HC0801) 申请号 2008300258659 申请日期 2008-04-09 公布/公告号 CN300928767 公布/公告日期 2009-05-20 发明人 赵洪熙 专利申请人 江阴华昌文具有限公司 专利代理人 唐纫兰 专利代理机构 江阴市同盛专利事务所 专利类型 外观设计 主分类号 19-02 住所 江苏省江阴市华士镇矿机路8号 法律状态 ...
合同名称:哈尔滨蓝联科技开发有限公司-HC0801合同 项目名称:哈尔滨市标准化研究院_办公设备采购 项目编号:HC[2019]0801 计划编号:[2019]0161 公示时间:2019-06-25 10:54 附件下载: 哈尔滨蓝联科技开发有限公司-HC0801合同
编号 HC0801 加固方式 400H型钢+609钢支撑 沟通方式 专项分包 钢板桩优势 轻型、隔水性良好 可售卖地 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用...
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【相片库】0801相..本楼收集的重点是:一些美丽的图片HC贴,一些零碎有趣的贴子,一些重要活动现场汇报贴等等.总体来说,就是收集一些不能归类,没多少营养但却有趣的贴子. &nb
1、在电气特性方面，B1M080120HC可承受的最高电压达1200V，连续漏极电流最高可达44A，栅极阈值电压典型值为3V，即使用普通MCU或者使用TTL电平也可轻松驱动，完全满足电动机驱动的电气要求。2、B1M080120HC导通延迟时间20ns，关断延迟时间44ns，真正实现电动机驱动高频率切换。而且自身功率耗散最高可达241W，可延长其...
碳化硅MOSFET B1M080120HC可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、罗姆的SCT2080KE、英飞凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1实现pin to pin替换。1200V碳化硅MOSFET B1M080120HC的功能与特色如下：•专为高频、高效应用优化 •极低栅极电荷和输出电容 •低栅极电阻，适用于高频开关 •在各种...
BASiC基本半导体,SiC碳化硅二极管,SiC碳化硅MOSFET,Basicsemi,Basicsemi半导体,B1M160120HC,B1M080120HK,B1M080120HC,光伏逆变器升压碳化硅二极管,储能逆变器SiC MOSFET,SiC碳化硅模块,混合IGBT,充电桩PFC碳化硅SiC二极管,V2G充电桩SiC MOSFET,无桥FPC SiC碳化硅MOSFET
HC770801: 性别: 男 年龄: 48 岁 出生年月: 1977-8-1 身高: 180 cm 婚姻状况: 未婚 工作所在: 浙江-杭州-拱墅区 体重: 61 kg 居住条件: 正打算购房 个人籍贯: 福建-南平-建阳区 学历: 大专以下 购车情况: 暂时没有 平均月薪: 2000元-5000元 交友目的: 恋爱结婚,知音知己 HC770801: 生肖: 蛇 经...