型号: HC3M0032120D 商品编号: 封装规格: TO-247-3L 商品描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高压大电流应用设计。额定连续电流高达63A,特别适合于电源转换、电机驱动及逆变系统等严苛环境,具备出色的高温性能、低导通损耗和快速开关响应,是现代高效能电力电子设备的核心组件。
HCR120D采用电机驱动的工程机器人,节能环保,其紧凑型设计和机动能力可适用 于众多场所。可通过一般的门廊和进入狭窄的通道,机动灵活,具有很大的载重能 力和很强的越障能力 。可攀爬楼梯或者30度的斜坡,适用于空间狭小场所。
新款破拆机器人RXR-JM120D-HC重磅来袭,诚邀代理商!机身小巧、结构紧凑,具有较好的机动性,便于在不同工作场地之间转移和操作,尤其适用于狭小受限空间作业。
本文主要讲到基本半导体的碳化硅功率MOSFET B1M080120HC，该器件具有延迟极短、超高耐压、低导通阻抗、小封装等优势，可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、罗姆的SCT2080KE、英飞凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型号实现pin to pin替换，为电动机驱动提供解决方案，具有巨大的市场前景。具体应用优...
碳化硅MOSFET B1M080120HC具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为80mΩ，可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他碳化硅MOSFET。同时还兼具高工作电压和超高切换速度。碳化硅MOSFET B1M080120HC可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、罗姆的SCT2080KE、英飞凌的IMW...
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有数据定义语句BUF DW 0ABH,1,10 DUP(3 DUP(1,0),2)汇编后,为变量BUF分配的存储单元字节数是( )。A.48HB.90HC.120D.60
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