Enhancement mode:增强型MOSFET意味着它需要在栅极上施加足够的正电压(高于阈值电压)才能形成导电沟道,从而允许电流通过。 其他特性: Very low on-resistance @ VGS=4.5V:当栅源电压(VGS)为4.5V时,该MOS管的导通电阻非常低,有助于减少功率损耗,提高电路的效率。 Fast Switching:该MOS管具有快速切换的能力,能够迅速...
Enhancement mode:惠海HC070N06LS MOS管是增强型MOSFET,这意味着它需要在栅极上施加足够的正电压(高于阈值电压)才能形成导电沟道,从而允许电流通过。这种工作模式使得MOSFET在数字电路和开关应用中很有用。 Very low on-resistance @ VGS=4.5 V:当栅源电压(VGS)为4.5V时,该MOS管的导通电阻非常低。低导通电阻有...
Enhancement mode:惠海HC070N06LS MOS管是增强型MOSFET,这意味着它需要在栅极上施加足够的正电压(高于阈值电压)才能形成导电沟道,从而允许电流通过。这种工作模式使得MOSFET在数字电路和开关应用中很有用。 Very low on-resistance @ VGS=4.5 V:当栅源电压(VGS)为4.5V时,该MOS管的导通电阻非常低。低导通电阻有...