从能带上来看,由于N区电子浓度要远大于P区的电子浓度,导致他们填充能带的水平不同,费米能级不相等。 当N型和P型半导体接触时,在费米能级高的N区的电子会流向费米能级低的P区。 因此,P区的电子会逐渐增多,能带和费米能级逐渐升高,PN结处能带发生弯曲,直到两费米能级在同一水平面上,电子不再继续流动,PN结达到...
随着应用频段向毫米波频段发展,如5G、卫星通信、雷达、导引头等民用或军用方向,PHEMT的应用也将不断增加。 InP的HEMT在面向高频化的应用有更好的优势,在毫米波频段下,能够保持较低的噪声的同时有较高的增益。基于GaAs和InP的HBT虽然也能够较好地工作在较高频段,例如fmax=250GHz,但是相对于HEMT的频率还是要低了很多...
晶体管有三个区域;发射极、基极和集电极,可以采用两种不同的方式构建,如NPN或PNP。NPN晶体管具有一个N掺杂发射极,一个P掺杂基极,后跟一个N掺杂集电极,如图1a所示,如图1b所示。因此,PNP晶体管具有P掺杂发射极和N掺杂基极,后跟P掺杂集电极也就不足为奇了,如图1c所示,图1d所示。原理图1b)和1d)中箭头的方向表示...
由于HBT采用异质结,基区可以采用重掺杂而不影响注入效率,导致更低的基区宽度调制效应,使集电区电流受Vce的影响变小,低的输出电导Go提高了直流电压增益的线性度,这在模拟电路中是十分重要的。 (5)HBT的电流垂直流过异质结界面,界面陷阱效应小,其1/f噪声比HEMT低。因此HBT的高频振荡器、分频器和混频器能获得比HE...
HBT 与 HEMT 比较 HBT、HEMT 是微波毫米波领域中非常重要的高速固态器件 其中 HBT 由于具有功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好、单电源工作、芯片面积小和价格性能比低等特点 已经逐步发展为 MMIC 领域中一个非常有竞争力的技术。目前 HBT 已被广泛应用于高速光通信系统 如光调制驱动电路、时钟提取、数据恢复...
Gutierrez-Aitken, "InP HEMT and HBT Applications Beyond 200 GHz", 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference 2002, p.11Dwight Streit.et al.InP HEMT and HBT Applications Beyond 200GHz.IEEE 14th Int C.onf On InP and Related Materials. 2002...
用 0. 1 m栅长HEMT 在 60GH z 得到最小噪声系数为 0. 8dB P. C. Chao 等人【 报道了 0. 15pm 器件在 18G Hz 最小 噪声 系数 只有 0. 3dB 。 此后 InP 基 InAIAs/ InGaAs HEM T 的研究方向直接转向 解决 各种 问藤 .以便扩展它们的应用。这些问 题是: 栅泄漏电流高 . 击穿电压低, Id—...
HEMT与HBT集成放大器的设计 下载积分: 2990 内容提示: Ni在 室温 下为1.4 X l o, o em一 3 。CC D的ND 、2xl o,c s m一 3,故T.与中的关系 由下式给出:+3 x l o 一 K。( 4 )T.为初始存 储 时间。中 (n/e m Z ). 5 X 1 0 1 3林 I X 1 01 30初 始值. 口户口, 口口...
We have systematically studied the effect of various interlayers on epiwafer bowing in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) structures on sap... M Sakai,T Egawa,M Hao,... - 《Japanese Journal of Applied Physics Part Regular Papers & Short Notes》 被引量: 0发表: 2004年 加载...