(1)HBT是纵向器件结构,与横向器件FET相比,其器件特性受衬底影响较小,器件的重复性和一致性很好,这来源于其成熟的材料和加工技术,HBT不需要亚微米光刻,只需要普通光刻即可得到高fT和fmax; (2)高功率密度和电流处理能力。HBT工作时其电流垂直流过发射结,因此电流密度可以很大。较高的功率密度可以提供较小的器件尺寸...
按照最新的TCAD仿真预测,SiGe HBT roadmap 目前的极限在ft 1THz, fmax 2 THz. 因此,在很长一段时间内能满足高频高速的应用需求。 2. SiGe HBT 的应用领域 太赫兹或亚毫米频率范围,大致定义为从300 GHz延伸到3太赫兹。从欧盟项目的开发来看,主要面对三个方向,高速传输,雷达,影像和传感领域等。 在高速传输应用...
百度试题 题目目前,III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能?相关知识点: 试题来源: 解析 它们的fT和fmax已分别超过150Ghz和200GHz 反馈 收藏
该结构的最大振荡频率(fmax)为200 GHz [13]。与此相比,fmax为20 GHz [5]的高级同结晶体管,提高了10倍。 HBT的综合效能衡量指数[5] fT、共发射极电流增益/截止频率和最大振荡频率fmax作为HBT的品质因数。 共发射极电流增益/截止频率定义为: 这里: tee = 发射极基极充电时间,与发射极基极电容成正比。在HBT...
欧盟一个项目DOTSEVEN,基于SiGe HBT工艺开发,技术以及应用的工程项目,欧盟大力发展基于SiGe HBT技术和应用十多年了,有其根本原因。 1.SiGe HBT vs III-V &CMOS: 基于SiGe HBT 技术的应用,比较多的在高速高频的领域。在这里,不得不提及传统上使用的III-V材料的器件,比如最新的技术InP HBT fT , fmax分别达到...
目前,III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能? 网友 1 最佳答案 回答者:网友 它们的fT和fmax已分别超过150Ghz和200GHz我来回答 提交回答 重置等你来答 异构醇聚氧乙烯聚晶氧丙烯醚 香茅醛的物性数据 芸香糖基本信息0 二乙画紧写运久乡又鲁台渐二醇单丁醚的构造吗也迫背口领式是什么? 二乙二醇单丁醚来自...
该SiGe HBT的fT/fmax为505GHz/720GHz的,工作电压为1.6V,门延迟仅为1.34ps。该器件速度参数为硅晶体管设定了新的标准。该fmax值已超过当前产品最佳fmax值的50%。这种SiGe HBT晶体管能够使有线和无线系统的数据速率达到100 Gb/s以上。 研究人员将这种超高性能归因于三个因素: ...
相比于同质晶体管，HBT具有显著优势，如特征频率fT和最高振荡频率fmax更高，Early电压较大，基区穿通电压也较高。然而，当在大功率和较差的散热条件下，可能会出现负阻效应。HBT广泛应用于微波、毫米波放大和震荡、移动通信技术，以及化合物超高速数字电路、低温和高温环境下的电路，如Si/SiGe HBT和AlGaN...
SiGe HBT具有卓越的高频性能,特别适用于射频和微波电路设计。相比于传统的硅晶体管,SiGe HBT具有更高的截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax),这使得它可以在更高的频段范围内工作。这意味着SiGe HBT可以实现更快速、更高功率且更稳定的信号处理能力。 2.2 低噪声性能优势: 由于低噪声系数和较小的噪声指数,SiGe HBT...
InP的HEMT在面向高频化的应用有更好的优势,在毫米波频段下,能够保持较低的噪声的同时有较高的增益。基于GaAs和InP的HBT虽然也能够较好地工作在较高频段,例如fmax=250GHz,但是相对于HEMT的频率还是要低了很多。 可靠性 可靠性也是选择管子的一个重要参考指标。MESFET、PHEMT的稳定性较好,HBT随着技术的发展在稳定性方...