如同闪存从2D NAND转向3D NAND一样,内存也要从平面转向3D立体,前面的HBM就是3D内存技术的一种,不过它并非唯一选择,美光、Intel还有HMC(Hybrid Memory Cube)内存,它也是通过TSV硅穿孔工艺堆栈多层DRAM核心以实现3D堆栈的。实现3D堆栈之后,HMC也可以搭积木一样堆叠内存核心了,带来的优势就是:·性能更强,带宽
最近关于 HBM 的讨论越来越多,尤其是在涉及 AI 芯片领域时。HBM 即高带宽内存(High Bandwidth Memory),是一种特殊的 DRAM,通过垂直堆叠并利用硅片内名为 TSV(硅通孔,Through-Silicon Vias)的微小导线与处理器连接。TSV 技术允许直接连接多个 HBM DRAM 芯片,从而提升整体内存带宽。 为何HBM 如此重要? HBM 的核心...
HBM(HighBandwidthMemory)是一种用于高性能计算和高带宽数据存储的存储器。HBM通过在DRAM芯片之间堆叠并封装在一起,形成大容量、高位宽的DDR组合阵列,以提高数据传输速率和减少能耗。HBM与GDDR都属于图像DDR中的一类。图像DDR一般使用在显卡上。对于算力或显像要求较高的场景,一般都会使用HBM,比如在AI服务器里搭配算力芯...
作为最老资历的PC组成部件,内存及内存存储体系已经拥有了几十年的历史,其漫长的发展过程曾伴随数次重要的变革,但纵观这些变革,无论是从FP到EDO还是从SD到DDR,在意义上均无法与正在发生一场革命相提并论,这场革命的名字,叫堆叠内存。这时的2中标准起源是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、...
HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）：一款新型的CPU/GPU内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。HBM提高有效带宽途径：Pseudo...
在AI算力的冲天要求下,一颗颗高效能的“芯”在服务器的胸腔中跳动,它们就是HBM(High Bandwidth Memory),一种高带宽存储器。不同于我们熟知的传统DDR存储器,HBM的到来,彻底打破了内存的瓶颈限制,让AI GPU存储单元焕然一新。 为何HBM能大放异彩? HBM使用TSV(Through-Silicon Vias)技术和微凸块,这些技术的运用让多...
Memory Cube 互连与逻辑芯片 每个HBM 堆栈还包含一个关键组件,即逻辑芯片(或基础芯片)。该芯片并非传统的 DRAM 芯片,而是包含了必要的接口电路、路由逻辑,有时还包括缓冲/缓存或测试逻辑,用于管理其上的内存堆栈。逻辑芯片通过 TSV 与 DRAM 层连接,并作为与主机处理器(如 CPU、GPU)的桥梁。 HBM 通常通过非常宽的...
成功地将 8 层 TSV 技术应用于其第 5 代 DRAM 内存 DDR5, 得到具有高容量、高吞吐量和高冷却效率的内存产品。 DDR芯片 2. SK海力士的HBM(High Bandwidth Memory):2013年,SK海力士在全球首次成功开发并量产了TSV结构的HBM,此后也量产了针对大容量产品开发的3DS产品。2019 年,HBM2E 在 10 个月内开发并量产,...
典型产品为存内计算（IMC，In-memory Computing）芯片。HBM 是近存算一体的一种，定位在片上缓存 LLC 和传统 DDR 中间， 弥补带宽缺口，兼顾带宽和容量。 HBM 定位在 CPU/GPU 片上缓存 （Last Level Cache，LLC，通常是 SRAM）和 DRAM 之间，弥补处理器高带宽需求与主存储器最大带宽供 应能力之间的带宽缺口，...
SOCAMM,全称为Small Outline Compression Attached Memory Module,即小型化压缩附加内存模组。目前的SOCAMM模组基于LPDDR5X DRAM芯片。与先前的LPCAMM2模组相似,SOCAMM同样采用单面四芯片焊盘、三固定螺丝孔的设计。然而,与LPCAMM2不同的是,SOCAMM的顶部没有凸出的梯形结构,这降低了其整体高度,使其更适合服务器安装环境...