ESD 测试应从Table 1中的最低步长开始。ESD测试应在室温条件下进行。 进行器件ESD等级测试时,3颗芯片的每个样本都按照Table 2给出的全部引脚组合以某一个电压等级(Voltage Level)对每个引脚施加1次正向和1次负向脉冲,正向和负向脉冲的间隔时间不小于100ms,考虑器件可能积累损伤,这个间隔时间可以加长。施加的脉冲电...
例如,如果一个器件在500V和2000V的ESD测试中都表现正常,但在1000V的测试中却失效了,那么这个器件的故障窗口范围大致在500V至2000V之间,并且该器件的ESD水平应被认定为500V。针对这种故障窗口效应,我们建议客户在进行ESD测试时选择合适的电压阶跃水平,以避免部分失效情况被忽略。 3阶跃应力硬化效应 step-stress-test ...
例如,如果一个器件在500V和2000V的ESD测试中都表现正常,但在1000V的测试中却失效了,那么这个器件的故障窗口范围大致在500V至2000V之间,并且该器件的ESD水平应被认定为500V。针对这种故障窗口效应,我们建议客户在进行ESD测试时选择合适的电压阶跃水平,以避免部分失效情况被忽略。 3阶跃应力硬化效应 step-stress-test ...
相较于ESD Gun测试只能得知是Pass还是Fail的测试结果,TLP测试会由低电流至高电流进行一次又一次的ESD放电模拟,并且于每次放电时同时量测待测物两端的电压与电流,测试所得之TLP特性图能帮助我们更深入了解TVS在遭遇ESD时的I-V特性与箝制电压(Clamping Voltage)。箝制电压即为TVS在遭受ESD冲击时测得的工作电压,因此如...
其中需要注意以下事项:首先,如果两个电源引脚是通过die内金属互连,或通过封装打线短接,那么这两个引脚则可以划分为同一个电源引脚组别,但必须严格确认这两个引脚之间的电阻值是否小于或等于3欧姆,如果测量结果显示电阻值大于3欧姆,那么这两个引脚应当作为独立的电源引脚分别进行测试,以防止ESD保护较为薄弱的点被忽视。
AEC_Q100-002E人体模型(HBM)静电放电(ESD)测试.docx,AEC - Q100-002 - REV-E August 20, 2013 Automotive Electronics Council Component Technical Committee ATTACHMENT 2 AEC - Q100-002 REV-E HUMAN BODY MODEL ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST AEC - Q100-002 - REV-E Au
ESD(Electro-Static discharge)意为静止电荷放电。静止电荷简称静电,作为一种客观自然的现象,表现为电子的过多或不足。当静电荷积聚在某一物体上时,该物体的分子会处于电失衡状态。在两个平面之间或者一个平面与地之间,带有多余电子的表面呈现负电性,而电子缺失的表面则呈现正电性。静电放电则是这些电荷在不同静电势...
ESD(Electro-Static discharge)意为静止电荷放电。静止电荷简称静电,作为一种客观自然的现象,表现为电子的过多或不足。当静电荷积聚在某一物体上时,该物体的分子会处于电失衡状态。在两个平面之间或者一个平面与地之间,带有多余电子的表面呈现负电性,而电子缺失的表面则呈现正电性。静电放电则是这些电荷在不同静电势...
半导体器件的 ESD 测试人体模型( HBM )及静电敏感度分级 ESD 对半导体器件、以及电子产品和系统的可靠性设计和生产制造是一项很重要的影响因素。对于电子元器件,人体可能是产生
GB/T 4937.26-2023《半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM)》是针对半导体器件进行静电放电敏感度测试的标准之一,特别适用于采用人体模型(Human Body Model, HBM)方法进行的测试。该标准详细规定了如何使用HBM来评估半导体器件在遭受静电放电时可能受到的影响程度。