1.3 ESD-HBM 测试等级分类 2. 静电放电充电装置模型(CDM) 2.1 试验信息 样品数量:1个批次;共 9 颗待测芯片 参考方法:AEC-Q100-011 脉冲次数3 次 测试电压:±250V/±500V/±750V 通过等级分类:通过等级C2b (±750V) 测试脉宽:不适用 测试确认:片功能/性能测试(试验前后在室温和高温进行电测。)/I-V曲...