HBM+500V是一种静电放电（ESD）测试标准，表示测试时使用的静电电压为500V。与电阻值的转换需要考虑电阻和电容的影响。对于电容性负载（如大部分电子元器件和半导体器件），HBM+500V测试标准等效于一个10MΩ的电阻。这是因为，在静电放电测试中，电容性负载的放电时间常常在微秒级别，所以可以近似地将测试...
故障窗口效应 指器件在高、低电压水平下表现正常，却在中间某电压范围内失效的现象。例如，器件在500V和2000V的ESD测试中均无恙，却在1000V时失效，表明其故障窗口大致在500V至2000V之间，ESD水平应认定为500V。为应对此效应，建议客户在ESD测试时精心选择电压阶跃水平，以避免遗漏部分失效情况。阶跃应力硬化效应 指...
HBM,也就是人体模型,主要模拟人体放电对芯片等电子器件的影响,通常测试电压范围在±500V到±2000V。而MM,即机器模型,则是模拟机器设备放电对电子器件的影响,测试电压一般要求±200V,部分高标准可能会要求±500V。两种测试模型各有侧重,共同确保电子产品的静电防护能力。
1.采用MIL-STD-883标准,2颗50V不过,1颗过200V。 2.采用JS-001标准,1颗过50V,1颗过400V,1颗过500V。 3.测试数据显示:JS-001测试指标比MIL-STD-883更好。 上述网上收集的数据虽然具有一定参考性,但是50V的静电指标,和我们日常使用的2000V左右的芯片静电数据差异太大,因此有必要找出更接近实际应用的芯片数据...
一个SMT线后的PCBA下料机,和组装线前PCBA自动上料机,机械动作快速推出的PCBA上,在新的物料架上一般20-50V/CM静电场强,但是年久失修的物料架上,达到300-500V/CM都很正常,标准上限可是100V/CM,这是我们实际测出来的结果,非常可怕。 但是这些静电荷,仅是存储在产品上,不会造成击穿,操作员手工取放时,这些静...
例如,如果一个器件在500V和2000V的ESD测试中都表现正常,但在1000V的测试中却失效了,那么这个器件的故障窗口范围大致在500V至2000V之间,并且该器件的ESD水平应被认定为500V。针对这种故障窗口效应,我们建议客户在进行ESD测试时选择合适的电压阶跃水平,以避免部分失效情况被忽略。
例如,如果一个器件在500V和2000V的ESD测试中都表现正常,但在1000V的测试中却失效了,那么这个器件的故障窗口范围大致在500V至2000V之间,并且该器件的ESD水平应被认定为500V。针对这种故障窗口效应,我们建议客户在进行ESD测试时选择合适的电压阶跃水平,以避免部分失效情况被忽略。
CLASS 1A:施加250V ESD脉冲时通过,但是施加500V ESD脉冲时器件发生失效 CLASS 1B:施加500V ESD脉冲时通过,但是施加1000V ESD脉冲时器件发生失效 CLASS 1C:施加1000V ESD脉冲时通过,但是施加2000V ESD脉冲时器件发生失效 CLASS 2:施加2000V ESD脉冲时通过,但是施加4000V ESD脉冲时器件发生失效 ...
CLASS 1A: 施加250V ESD脉冲时通过,但是施加500V ESD脉冲时器件发生失效 CLASS 1B: 施加500V ESD脉冲时通过,但是施加1000V ESD脉冲时器件发生失效 CLASS 1C: 施加1000V ESD脉冲时通过,但是施加2000V ESD脉冲时器件发生失效 CLASS 2: 施加2000V ESD脉冲时通过,但是施加4000V ESD脉冲时器件发生失效 ...
例如,如果一个器件在500V和2000V的ESD测试中都表现正常,但在1000V的测试中却失效了,那么这个器件的故障窗口范围大致在500V至2000V之间,并且该器件的ESD水平应被认定为500V。针对这种故障窗口效应,我们建议客户在进行ESD测试时选择合适的电压阶跃水平,以避免部分失效情况被忽略。