英特尔、台积电、三星等晶圆厂商在前道制造环节经验老道,对前道步骤的TSV技术熟能生巧,因而在2.5D/3D封装技术上独领风骚。 TSV 制造流程 图源:Lumenci TSV应用领域 3D TSV 封装市场分为存储器、逻辑、MEMS和传感器以及其他应用。由于人工智能催生对DRAM 和NAND等内存应用需要TSV实现高密度封装。由于TSV高性能需求,处...
希杵 提供 MEGATRON 可变电位计 CI18 100 K 希杵 提供 BINKS 成套密封包 250645 希杵 提供 Berghof 感应传感器 SX-100EF 希杵 提供 Microsonic 感应传感器 dbk+4/3BEE/M18 希杵 提供 Erhardt+Leimer 工业用单镜头反光型数字照相机 352038 希杵 提供 microfilter 液体过滤器 15809-40464-102 希杵 提供 ATS ...
展望2024年,观察目前各AI芯片供应商的开案进度,英伟达2023年的高阶AI芯片(采用HBM)的既有产品为A100/A800以及H100/H800;2024年则将把产品组合(Product Portfolio)更细致化的分类。 除了原上述型号之外,英伟达也规划推出使用6颗HBM3e的H200以及8颗HBM3e的B100,并同步整合英伟达自家基于Arm构架的CPU与GPU,推出GH200...
值得注意的是,右侧壳核和中央前回的影像特征显示出最高的系数。该模型的曲线下面积(Area under the curve,AUC)为0.897(95%CI:0.828-0.967),敏感性和特异性分别为75.0%和92.6%,截断值为0.65(图2D)。使用内部数据集的随机抽样来测试该...
CI-200S称重仪表 CI-6000A称重仪表 CI-2400BS称重仪表 CI-1500称重仪表 电容式传感器的工作原理与分类。 以平板电容传感器为例,说明电容式传感器的工作原理与分类。平板电容器的电容量C=εS/d,由该式不难看出,当改变极板间隙d、极板间介电常数ε或两极板的重叠面积S时,都可以改变电容量C。因此,只要保持d、S...
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称重传感器PW24A-200 备件DIS2116显示仪表 备件FG line C1 24V 50/60HZ VA 8Ho 12ln CI.F T60 ED100% 配件Z6FD1/100KG 放大器1-RM4220 压力传感器S9M/1KN 模拟卡WE2110 力传感器CLP/26KN 力传感器S2M/1000N 称重传感器T20WN TYP:T20WN/200NM F.-Nr:900113531 称重传感器RTN10T C3 备件IYP:WA/300...