1.1 HBM生产核心在于先进封装工艺 HBM生产的核心难点在于晶圆级先进封装技术，主要包括TSV、micro bumping和堆叠键合。HBM首先使用TSV技术、microbumping技术在晶圆层面上完成通孔和凸点，再通过TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding工艺完成堆叠键合，然后连接至logic die，封测公司采用cowos工艺将HBM、SoC通过interposer硅中介层...
东芯股份（688110.SH）6月13日在投资者互动平台表示，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是通过先进封装工艺的方式提高存储芯片的带宽。公司目前暂未涉及此类产品，公司将保持对新技术的持续关注。(记者 毕陆名)免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议，使用前核实。据此操作，风险自担。每日经济新...
台积电的N12FFC+工艺(12纳米FinFET Compact Plus,虽然归类于12纳米技术,但技术基础源自其成熟的16纳米FinFET生产线)生产的基础芯片,将用于在系统级芯片(SoCs)旁的硅中介层上安装HBM4内存堆栈。台积电相信,其12FFC+工艺非常适合实现HBM4的性能,使内存制造商能够构建12-Hi(48GB)和16-Hi(64GB)堆栈,每个堆栈的带宽超...
HBM 对先进封装提出了更高的要求。HBM 作为 AI 算力芯片主流的存储芯片,主要的增量工艺包括 TSV、RDL、Microbumps 以及 TCB 键合包括未来可能的混合键合等,对先进封装的工艺及设备提出了更高的要求,其中,涉及较多的设备有键合设备(临时键合/解键合、TCB键合/混合键合等)、刻蚀机、电镀机、沉积设备(CVD、PVD 等)等...
公司回答表示,尊敬的投资者您好,HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)是通过先进封装工艺的方式提高存储芯片的带宽,公司目前暂未涉及此类产品。公司将密切关注行业和技术发展趋势,不断加强公司产品和技术研发实力,提高公司核心竞争力。感谢您对我司的关注。
近日,全球存储芯片龙头SK海力士欲在韩国投资逾10亿美元,以优化芯片封装工艺、扩大高带宽内存(HBM)封装产能。 随着AI、物联网、无人驾驶、MR等科技飞速发展,芯片需求量持续增长,先进封装产能紧缺,各龙头厂商加大扩产力度: 台积电等晶圆代工厂,英特尔、三星等IDM厂商,日月光等封测厂商纷纷增加先进封装产线。
HBM生产的核心难点之一在于晶圆级先进封装技术,主要包括TSV、micro bumping和堆叠键合。 HBM首先使用TSV技术、micro bumping技术在晶圆层面上完成通孔和凸点,再通过TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding工艺完成堆叠键合,然后连接至 logic die,封测公司采用cowos工艺将HBM、SoC通过interposer硅中介层形成互通,最终连接至基板。
回复@赚不到钱的韭菜: HBM确实没听过。先进封装就接触过bumping和fanout的工艺。感觉设备应该是可以通用的。//@赚不到钱的韭菜:[该内容已被作者删除]
中京电子：公司正在加快发展IC载板先进封装材料业务，按规划预计明年Q2内形成mSAP工艺量产能力 证券之星消息，中京电子(002579)11月17日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者：请问公司有没有在hbm存储卡技术储备 中京电子董秘：尊敬的投资者，您好！HBM存储(高带宽存储器)使用先进3D堆栈封装工艺对DRAM进行...
更多的DRAM Die层数意味着HBM4 16Hi需要进一步地压缩层间间隙,以保证整体堆栈高度维持在775 μm的限制内。助焊剂可清理DRAM Die表面的氧化层,保证键合过程中机械和电气连接不会受到氧化层影响;但助焊剂的残余也会扩大各Die之间的间隙,提升整体堆栈高度。助焊剂的缺点将会在未来的先进封装工艺中变得越来越明显,众多领...