图1 Al/Ta/AlGaN堆叠器件在不同退火处理后的HAXPES分析。[1] 原始和历经2种不同退火工艺处理后的Al (20 nm)/Ta (5 nm)/AlGaN (23 nm)/GaN HEMT器件的HAXPES结果表明:①全谱中Ta和Ca的光电子特征峰证明了利用HAXPES可以直接探测埋层(~25 nm)信息;②原子百分比的变化表明退火后,Ta和Ga会向上扩散;③Al ...
多种分析能力：HAXPES系统的测试能力不应局限于常规谱图测量，还需要具备针对复杂需求的先进测试功能，包括微区分析、化学态影像分析、变角度深度分析、离子刻蚀深度剖析及其他外场条件下的原位测试；? 定量分析：XPS作为重要的分析手段，针对元素组分和多种化学态的定量分析是常用功能。HAXPES需要完善灵敏度因子（RSF）数...
但是同步辐射装置也有着造价成本昂贵、体积庞大和维护费用高等缺点,从而限制了同步辐射光源的普及。目前世界上仅有的20多条HAXPES专用同步辐射线站,它们所提供的机时远远不能满足用户的需求,所以发展实验室硬X射线光电子能谱(Lab-based HAXPES)势在必行。在讲解Lab-based HAXPES前,本节将和大家回顾一下实验室X射线源...
早期的HAXPES主要是基于同步辐射装置发展起来,伴随着同步辐射光源、光束线和能量分析器的发展,HAXPES相关装置得到了快速发展,目前世界上有着20多条HAXPES专用同步辐射线束线/实验站。在过去的3-4年,由于实验室硬X射线光源的发展,实验室HAXPES设备也得到了新发展,比如PHI Quantes,展现出了独特的优势。借助HAXPES实验方法...
高通量实验室硬X 射线源与高效电子能量分析器相结合是实现Lab-based HAXPES设备商业化的关键所在。如前所述硬X 射线源需要同时具备适当的硬X射线能量、足够的亮度、高的能量分辨率和充足的光电离截面数值等条件。大量实验结果表明处于5~7 keV能量范围内的Cr Kα (5.4 keV)是Lab-based HAXPES的优质硬X射线源,因为...
器件1:HEMT(高电子迁移率晶体管),结构为Al (20 nm)/Ta (5 nm)/AlGaN (23 nm)/GaN,其中Al/Ta双层的作用是在退火时促进与AlGaN源极/漏极的欧姆接触。目标分析区域:Al/Ta /AlGaN界面。 图1 Al/Ta/AlGaN堆叠器件在不同退火处理后的HAXPES分析。[1] ...
高通量实验室硬X 射线源与高效电子能量分析器相结合是实现Lab-based HAXPES设备商业化的关键所在。如前所述硬X 射线源需要同时具备适当的硬X射线能量、足够的亮度、高的能量分辨率和充足的光电离截面数值等条件。大量实验结果表明处于5~7 keV能量范围内的Cr Kα (5.4 keV)是Lab-based HAXPES的优质硬X射线源,因为...
高通量实验室硬X 射线源与高效电子能量分析器相结合是实现Lab-based HAXPES设备商业化的关键所在。如前所述硬X 射线源需要同时具备适当的硬X射线能量、足够的亮度、高的能量分辨率和充足的光电离截面数值等条件。大量实验结果表明处于5~7 keV能量范围内的Cr Kα (5.4 keV)是Lab-based HAXPES的优质硬X射线源,因为...
表面分析技术漫谈:Lab-based HAXPES③ 上两节分享了硬X射线光电子能谱(HAXPES)的相关知识和优势,可以看到HAXPES采用更高能量X射线,不仅在界面结构的探测上展示了独特的优势,还将探测信息延伸至更深的芯能级,这些优势将为科学研究和产业应用提供强有力的支撑。错过上面两节内容的小伙伴,可以通过本节内容下方的链接进行...
高通量实验室硬X 射线源与高效电子能量分析器相结合是实现Lab-based HAXPES设备商业化的关键所在。如前所述硬X 射线源需要同时具备适当的硬X射线能量、足够的亮度、高的能量分辨率和充足的光电离截面数值等条件。大量实验结果表明处于5~7 keV能量范围内的Cr Kα (5.4 keV)是Lab-based HAXPES的优质硬X射线源,因为...