Flash的擦除操作: 在进行Flash的写和擦除操作之前,我们首先要对Flash进行解锁,因为Flash默认是锁着的。 在hal库当中,我们对于Flash的操作方式有两种,一种是按banks也就是按块操作,一种是按page按页操作,以上的两个函数的代码是以页操作为基础的。在hal库中我们通过配置FLASH_EraseInitTypeDef这个结构体来配置擦除...
在STM32中对FLASH的操作可以分为三种:擦,读,写。其中擦和写需要解锁FLASH,同时用完后需要上锁FLASH。 每当要写数据之前,一定要执行擦除这个页面。同时,F4中擦除页面最小也是16kb一擦,所以注意一定要确保扇区没有任何程序以及数据,实在不行,先全部读取出来,擦除后再整体写入。当然这有一定的代码风险(读取后,在擦...
1、按页擦除(FLASH_TYPEERASE_PAGES) 2、按块擦除(FLASH_TYPEERASE_MASSERASE) 当使用页擦除方式擦除某一页或者几页时,需要设置: .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES, //擦除方式 .Banks = FLASH_BANK_1, //擦除哪个块,该项只有擦除方式为按块擦除时才有效 .PageAddress = 0x08004000, //擦除起...
擦除设置 确保FLASH_EraseInitTypeDef结构体中的设置是正确的。例如：c EraseInitStruct.TypeErase = ...
STM32:Flash擦除与读写操作(HAL库)应⽤平台:STM32F030F4P6ST官⽅库:STM32Cube_FW_F0_V1.9.0背景知识绝⼤多数的单⽚机和微控制器(ARM,x86),地址空间都是以字节为单位的,也就是说⼀个地址是⼀个字节。Flash存储器有个特点,就是只能写0,不能写1。所以如果原来的地址有数据了,意味着有⼀些...
HAL_FLASH_Program(); HAL_FLASH_Lock(); 2. 擦除相关 HAL_FLASHEx_Erase()函数会入参一个有关清除扇区配置的结构体对象,这个参数对应的结构体定义根据不同芯片的HAL库有所不同,F1/F4/L4均不相同,而且同系列不同Flash大小的芯片所能指向的地址也不相同,同时这里面还存在Sector/Page/Bank等概念,这些概念涉及...
Flash存储器有个特点,就是只能写0,不能写1。所以如果原来的地址有数据了,意味着有?些位为0,这些位就相当于?效了。所以必须写之前确保他们都为1,只有擦除才可以。另外每次擦除都必须擦除?个4K??的扇区,这是flash的特性所决定的。对Flash操作前必需打开内部振荡器。 STM32F030F4P6的Flash存储简介 STM32F030...
在使用STM32F429操作W25Q128时,为验证flash工作正常,做简单的读写数据校验,在擦除接口中使用 HAL_SPI_Transmit 方法一直工作异常,使用 HAL_SPI_TransmitReceive 方法后则正常 1voidSPI_FLASH_SectorErase(uint32_t SectorAddr)2{3uint8_t txData[4];45txData[0] =W25X_SectorErase;6txData[1] = (SectorAddr...
擦除的地址My_Flash.NbPages =1;//说明要擦除的页数,此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值uint32_t PageError=0;//设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError);//调用擦除函数擦除//uint16_t Write_Flash...
如果将Level 1切换到Level 0时,用户Flash区和安全区域将被擦除。 Level 2(设备保护和自举保护) 所有调试特性被关闭。 禁止从RAM启动。 除了选项字节里面的SWAP位可以配置,其它位都无法更改。 禁止了调试功能,且禁止了从RAM和系统bootloader启动,用户Flash区是可以执行读写和擦除操作的,访问其它安全存储区也是可以的...