STM32G0芯片对Flash操作容易出错，经常出现擦除失败或编程失败的情况，故有此记录。STM32G0芯片LL库没有...
如果写入操作失败，`HAL_FLASH_Program`函数会返回一个错误代码，而不是`HAL_OK`。因此，你需要检查`...
int result = hal_flash_program(address, data, length); // 调用hal_flash_program函数进行写入操作 if (result == 0) { // 写入成功,执行相应的操作 printf("Flash编程成功!\n"); } else { // 写入失败,处理错误情况 printf("Flash编程失败,错误代码:%d\n", result); } 请注意,上述示例仅用于说...
调用 flash .c 中的HAL_FLASH_Program_HalfWord 函数编译出错 提示未定义，郁闷 0 已退回5积分 ...
可灵活配置 4 段虚拟地址区间，支持 DMA 读写、Nor Flash XIP 操作 最大 2ˆ32Bytes 容量的 Nor ...
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, WriteAddr, pBuffer[i]);WriteAddr += 2; //地...
目标通过ILM策略防止单个索引膨胀引发异常。问题实际操作时索引没有预期策略精确执行。长时间没执行：等了...
; eraseInitStruct.NbSectors = 1; status =HAL_FLASHEx_Erase_IT(&eraseInitStruct); if (status !=HAL_OK) {print(" naugia2023-01-16 06:46:39 Erase/Program操作对SSD读性能的影响 值得注意的是除了Erase/Program Suspension对企业性能的改善,另外对掉电也有很大的帮助。当前3D Flash的Erase时间都很长...
Hi Akos, When I use the below function, it writes the bytes in the correct flash address, however bytes are written in LSB HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, flash_ptr, data) e.g.: when I write 0x0A1B2C3D4C5E6F55 I see that ...