解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 检查是否写保护,使能Flash可以编程,然后对其进行编程操作,编程完毕后,等待编程完成,然后禁止Flash编程位。具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。 Flash的擦除流程如下: 解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是B
解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 检查是否写保护,使能Flash可以编程,然后对其进行编程操作,编程完毕后,等待编程完成,然后禁止Flash编程位。具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。 Flash的擦除流程如下: 解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调...
int hal_flash_program(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t length); 参数说明: address:要写入的Flash存储器的地址。它指定了要写入的起始位置。 data:指向要写入Flash的数据的指针。它应该是一个包含要写入数据的字节数组。 length:要写入的数据的长度(以字节为单位)。 返回值: 如果函数执行成功,...
具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。Flash的擦除流程如下:解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调用函数FLASH_MassErase,然后等待擦除完成,完成之后关闭BANK1和BANK2的擦除请求位BER1/BER2 如果是扇区擦除,调用函数FLASH_Erase_Sector,然后等待擦除完成,...
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data); 前者为轮询方式写,后者为中断方式写。第一个参数为写模式,它定义了写的字节数量:双字,字,半字与字节。第二个参数为写入数据的地址,第三个参数为写入的数据。调用一次函数只能写一次值。
STM32通常有着丰富的片上Flash空间,这些空间正常情况下是存放指令代码、常量等烧录数据的。平时我们编译出来的bin或者elf文件会按顺序填充进Flash;hex格式的文件会稍许不同,通常情况下hex文件会更小一些,因为…
其次，你在写入操作中使用了`HAL_FLASH_Program`函数，这个函数的返回值也没有被正确检查。如果写入操作...
执行HAL_FLASH_Program对擦除区域写入新的数值。 打印判断是否成功。 FLASH上锁。 这里说一下,我在之前有对指针变量赋值地址,如图: 即将ID_card的指针地址指向0x0800 8000的位置。 另外说一下,不建议大家循环擦写FLASH,因为FLASH是有擦除次数限制的,在循环中擦FLASH会导致FLASH到达上限后无法擦除,读没有限制。擦除...
问STM32 HAL_FLASH_Program没有按预期工作EN目标通过ILM策略防止单个索引膨胀引发异常。问题实际操作时索引...
问STM32F745 - HAL_FLASH_Program不会永久写入闪存EN前文已经讲过了固态硬盘的发展史，曾经的固态硬盘...