解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 检查是否写保护,使能Flash可以编程,然后对其进行编程操作,编程完毕后,等待编程完成,然后禁止Flash编程位。具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。 Flash的擦除流程如下: 解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调...
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data); 前者为轮询方式写,后者为中断方式写。第一个参数为写模式,它定义了写的字节数量:双字,字,半字与字节。第...
具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。Flash的擦除流程如下:解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调用函数FLASH_MassErase,然后等待擦除完成,完成之后关闭BANK1和BANK2的擦除请求位BER1/BER2 如果是扇区擦除,调用函数FLASH_Erase_Sector,然后等待擦除完成,...
解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 检查是否写保护,使能Flash可以编程,然后对其进行编程操作,编程完毕后,等待编程完成,然后禁止Flash编程位。具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。 Flash的擦除流程如下: 解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调...
開發者ID:openmv,項目名稱:openmv,代碼行數:32,代碼來源:flash.c 示例2: flash_program_page ▲點讚 6▼ /** Program one page starting at defined address * * The page should be at page boundary, should not cross multiple sectors. * This function does not do any check for address alignments...
3. STM32H7的两个Flash BANK是256bit带宽，CPU访问是采⽤的两个64bit AXI总线。4. HAL库的内部Flash编程函数HAL_FLASH_Program固定编写32字节数据。70.2 内部Flash基础知识 70.2.1 内部Flash的硬件框图 认识⼀个外设，最好的⽅式就是看它的框图，⽅便我们快速的了解内部Flash的基本功能，然后再看...
固态硬盘的工作原理很多也都是基于闪存特性的。比如，闪存在写之前必须先擦除，不能覆盖写，于是固态硬盘...
目标通过ILM策略防止单个索引膨胀引发异常。问题实际操作时索引没有预期策略精确执行。长时间没执行：等了...
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase_IT(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit) { HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK; /* Process Locked */ __HAL_LOCK(&pFlash); /* If procedure already ongoing, reject the next one */ if (pFlash.ProcedureOnGoing...
Hi Akos, When I use the below function, it writes the bytes in the correct flash address, however bytes are written in LSB HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, flash_ptr, data) e.g.: when I write 0x0A1B2C3D4C5E6F55 I see that ...