根据提供的搜索信息,hal_flash_program函数在使用过程中可能出现的bug包括: 数据写入失败,即使先擦除了相应的Flash扇区。 写入的数据不正确,可能是0xFFFFFFFF或其他未预期的值。 在某些情况下,如连续写入多个数据时,可能只有第一个数据被成功写入,后续数据写入失败。3. 分析bug产生的可能原因 3.1 函数内部逻辑错误
#error "System Argument Over Flash Page Size..."#endif 二、获取页 /* 获取页 */ static u32 ...
另外说一下,不建议大家循环擦写FLASH,因为FLASH是有擦除次数限制的,在循环中擦FLASH会导致FLASH到达上限后无法擦除,读没有限制。擦除结构体中VoltageRange参数是可以配置擦除电压,从而影响擦除的大小是多少,这里采用32bit一擦。不建议采用64bit擦除,虽然速度会快但是影响芯片FLASH寿命。 当然以上都是我的逼逼赖赖,...
擦除函数 FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要（）里面的数是flash第xx页中对应的任何...
在你的代码中，你使用了`HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError)`函数来擦除指定的page，...
HAL_FLASH_Program()函数对于不同芯片的HAL库,入参也不甚相同,有的芯片可以按1字节、2字节、4字节、8字节写入,比如STM32F407,有的芯片只能按8字节写入,比如STM32L4。同时,Flash写入时要注意字节对齐,比如现在要写一个双字节到Flash某一地址,那么该地址必须也是双字节的整数倍;如果要写一个4字节,那么同理,地址...
以下是一个一般性的hal_flash_program函数的使用示例: c int hal_flash_program(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t length); 参数说明: address:要写入的Flash存储器的地址。它指定了要写入的起始位置。 data:指向要写入Flash的数据的指针。它应该是一个包含要写入数据的字节数组。 length:要写入的...
STM32H7的两个Flash BANK是256bit带宽,CPU访问是采用的两个64bit AXI总线。 HAL库的内部Flash编程函数HAL_FLASH_Program固定编写32字节数据。 70.2 内部Flash基础知识 70.2.1 内部Flash的硬件框图 认识一个外设,最好的方式就是看它的框图,方便我们快速的了解内部Flash的基本功能,然后再看手册了解细节。
STM32H7的两个Flash BANK是256bit带宽,CPU访问是采用的两个64bit AXI总线。 HAL库的内部Flash编程函数HAL_FLASH_Program固定编写32字节数据。 70.2 内部Flash基础知识 70.2.1 内部Flash的硬件框图 认识一个外设,最好的方式就是看它的框图,方便我们快速的了解内部Flash的基本功能,然后再看手册了解细节。
Other Parts Discussed in Thread: CC2541 void HalFlashWrite(uint16 addr, uint8 *buf, uint16 cnt);和void HalFlashRead(uint8 pg, uint16 offset, uint8 *buf, uint16 cnt