H20R1203的详细参数如下: 一、基本电气参数 最高工作电压(集电极-发射极电压VCE):1200V。这是指在正常工作条件下,允许通过H20R1203的最大电压值。 最大集电极电流(IC):20A。在25°C和100°C时均为20A,这是指在正常工作条件下,允许通过H20R1203的最大电流值。 饱和压降(VCEsat):约1.48V(在25°C时)。这
两款芯片的详细技术参数 H20R1203属于IGBT,其最高工作电压(Vce)为1200V,最大集电极电流为20A,其饱和压降(VCE sat)约为1.48V,最大瞬间冲击电流为60A,VGE的电压驱动范围为±20V,饱和驱动电压VGE≥10V,一般建议饱和驱动电压VGE=15V~18V左右,工作温度范围-40℃~175℃。 IRF250属于N沟道的场效应管(MOSFET),其最...
两款芯片的详细技术参数 H20R1203属于IGBT,其最高工作电压(Vce)为1200V,最大集电极电流为20A,其饱和压降(VCE sat)约为1.48V,最大瞬间冲击电流为60A,VGE的电压驱动范围为±20V,饱和驱动电压VGE≥10V,一般建议饱和驱动电压VGE=15V~18V左右,工作温度范围-40℃~175℃。 IRF250属于N沟道的场效应管(MOSFET),其最...