这个3nm芯片标志着AMD Zen 5架构首次应用于数据中心芯片，AMD声称它们在关键AI工作负载上的性能比英特尔当前一代的Xeon芯片快5.4倍。Turin据说有两个版本：一个使用标准的Zen 5核心，另一个使用一种称为Zen 5c的密度优化核心。苏姿丰还宣布，AMD现在已经占据了数据中心市场的33%。新的Zen 5c芯片将配备多达192个核...
【CNMO科技消息】3月4日，CNMO了解到，英伟达H200预计将于今年第二季度正式上市。同时，英伟达已经下单投片生产B100，这款芯片将采用创新的Chiplet设计架构。值得关注的是，H200和B100将分别采用台积电先进的4nm和3nm制程技术。据行业专家分析，英伟达订单的强劲势头使得台积电3nm和4nm的产能几乎满载。为了应对先进制程技术...
苏姿丰指出,MI325X的AI性能提升幅度为AMD史上最大,相较竞品英伟达H200将有1.3倍以上的提升,同时更有性价比优势,MI325X将于今年第四季度开始供货。 另外,AMD还将在2025年推出新一代的MI350系列,该系列芯片将采用3nm制程,基于全新的构架,集成288GB HBM3E内存,并支持FP4/FP6数据格式,推理运算速度较现有MI300系列芯...
从这些保守的制程和内存选择，很难看出它对最强AI训练芯片的势在必得。现在市面上最先进的制程已经是3nm，其竞品英伟达H100和AMD MI300X都已经用上更先进的HBM3高带宽内存。英伟达H200采用141GB HBM3e，内存带宽达4.8TB/s；AMD MI300X采用192GB HBM3，内存带宽达5.3TB/s。无论是内存的容量还是带宽，都比Gaudi...
合作与制程技术:AMD表示,MI325X的制造将与台积电合作采用3nm制程技术。这一先进的制程技术将进一步提升MI325X的性能和能效比。 产品规划:AMD还公布了未来的产品规划,包括2025年将推出的MI350系列芯片和2026年将推出的MI400系列芯片。这些产品将继续保持AMD在AI芯片领域的领先地位。
与 Llama 3.1 405B 中的 H200 HGX AI 平台相比，8x MI325X 平台的性能也将提高 40%，在 70B 推理测试中的性能提高 20%。在 AI 训练方面，8x MI325X平台将提供与 8x H200 平台相似或 10% 的性能提升。AMD MI355X：3nm制程，配备288 GB HBM3e和CDNA 4架构 明年，AMD 还计划推出全新的 Instinct MI...
台积电是AMD的坚实合作伙伴。她强调双方目前已有多个3nm制程产品合作项目，这进一步巩固了AMD与台积电之间的合作关系。总的来说，AMD通过发布MI325X和展望MI350系列芯片，再次展示了其在AI领域的实力和决心。随着AI技术的不断发展，AMD将继续致力于创新和进步，为用户提供更强大、更高效的AI解决方案。
消息称英伟达H200、B100订单强劲 台积电3/4nm产能近满载 【消息称英伟达H200、B100订单强劲 台积电3/4nm产能近满载】《科创板日报》4日讯，据悉，英伟达H200将于第二季上市，B100采用Chiplet设计架构、已下单投片，H200及B100将分别采台积电4nm及3nm制程。法人指出，英伟达订单强劲，台积电3、4nm产能几近满载。（台湾...
苏姿丰同时宣布,AMD将于2025年推出MI350,采用3nm制程;预计2026年将推出MI400,基于AMD CDNA“Next”架构,预计将于2026年上市。 此前有消息称AMD将采用三星3nm制程,苏姿丰在COMPUTEX现场表示,台积电是AMD的合作伙伴,且很强大,目前双方有几个3nm制程产品合作。
消息称英伟达H200、B100订单强劲,台积电3/4nm产能近满载 据台湾工商时报消息,英伟达H200将于第二季上市,B100采用Chiplet设计架构、已下单投片,H200及B100将分别采台积电4nm及3nm制程。法人指出,英伟达订单强劲,台积电3、4nm产能几近满载。