氮化硼-H型(H-BN)
81(按1979年国际原子量) 3、结构式: 4、熔点: 3000℃(在惰性气体中 是稳定的) 5、莫氏硬度为:1 ~ 2。 6、理论密度:2.29 g/cm3。 7、溶解性:不溶于水。 8、性能:六方氮化硼外观系白色松散状、质地柔软有光滑感的粉末,与石墨的性质相似,片状结构,故有“白色石墨”之称。本品具有良好的电绝缘性、导热...
氮化硼是由氮原子和硼原子所构成的晶体,分子式为BN,分子量24.81。化学组成为43.6%的硼和56.4%的氮,理论密度2.27g/cm3。 氮化硼(BN)是一种性能优异并有很大发展潜力的新型陶瓷材料,包括5种异构体,分别是六方氮化硼(h-BN),纤锌矿氮化硼(w-BN),三方氮化硼(r-BN)、立方氮化硼(c-BN)和斜方氮化硼(o-BN)...
添加h-BN后,涂层中的裂纹和孔隙明显减少。 (2)所有涂层都表现出典型的n型半导体行为,供体密度ND随着电势的增加而增加。此外,1 wt%涂层表面上较小的供体密度ND和氧空位扩散率D0导致界面处空位扩散速率的降低。 (3)在1wt%的涂层处形成了更厚、更致密的钝化膜,其氧空位扩散率较低,因此比其他涂层具有更好的防腐...
然后,通过在h-BN生长之前用Ni掺杂Cu箔(即CuNi衬底)来降低h-BN片中的缺陷密度,这会增加氨硼烷晶种在Cu箔上的溶解度,从而导致较少的前驱体晶种和更大的h-BN晶粒。当比较使用在Cu和CuNi衬底上生长的h-BN的器件时(图4d,即分别具有高和低缺陷密度),可以清楚地看到第二个器件显示出较低的HRS电流和较高的开关...
在电子器件领域,六方氮化硼(h-BN)已被证明是一种具有显著优势的导热粉体,它同时具备低密度和类石墨的层状晶型结构,在提高导热性的同时,还可以保持导热界面材料(TIM)的电绝缘性能。但要用好氮化硼,没有优秀的功能化改性工艺可不行。 功能化改性是指在不改变材料总体结构的基础上,采用物理或化学的方法改变材料的...
将这种混合材料应用于气体传感,可获得 ppb 级的检测限和对 NH3 的高选择性。通过密度泛函理论计算,NH3 分子与气凝胶之间的吸附能和电荷转移大大增强。因此,这种创新方法为 h-BN 在气体传感中的应用提供了新的可能性,有望在气体捕获...
他们发现在溅射过程中通入氢气可显著抑制成核密度，并制备出尺寸约5微米的h-BN单晶畴，延长生长时间...
将这种混合材料应用于气体传感,可获得 ppb 级的检测限和对 NH3 的高选择性。通过密度泛函理论计算,NH3 分子与气凝胶之间的吸附能和电荷转移大大增强。因此,这种创新方法为 h-BN 在气体传感中的应用提供了新的可能性,有望在气体捕获、环境监测和其他相关领域发挥重要作用。
他们发现在溅射过程中通入氢气可显著抑制成核密度,并制备出尺寸约5微米的h-BN单晶畴,延长生长时间可以得到高质量的连续薄膜。相比于广泛使用的CVD方法,IBSD方法可以精确控制离子束的能量及束流密度,且更易于实现h-BN的可控生长。此外,IBSD属于物理气相沉积法,制备过程不涉及化学反应,有望在非金属衬底上直接生长h-...