氮化硼-H型(H-BN)
六方氮化硼熔点近3000℃，耐高温2000℃的，化学性能极为稳定，耐强酸腐蚀，六方氮化硼在室温下为离子晶体结构，具有很高的电绝缘性能，良好的介电性能和高耐腐蚀性，而且它的密度仅为1.51g/cm3，比钻石还要轻。六方氮化硼的介电常数也很低，仅为2.05，可以有效地降低材料的电容和电感，提高电子器件的频率特性...
81(按1979年国际原子量) 3、结构式: 4、熔点: 3000℃(在惰性气体中 是稳定的) 5、莫氏硬度为:1 ~ 2。 6、理论密度:2.29 g/cm3。 7、溶解性:不溶于水。 8、性能:六方氮化硼外观系白色松散状、质地柔软有光滑感的粉末,与石墨的性质相似,片状结构,故有“白色石墨”之称。本品具有良好的电绝缘性、导热...
六方氮化硼熔点近3000℃,耐高温2000℃的,化学性能极为稳定,耐强酸腐蚀,六方氮化硼在室温下为离子晶体结构,具有很高的电绝缘性能,良好的介电性能和高耐腐蚀性,而且它的密度仅为1.51g/cm3,比钻石还要轻。氮化硼的介电常数也很低,仅为2.05,可以有效地降低材料的电容和电感,提高电子器件的频率特性。此外,氮化硼还...
密度 2.27g/cm3 产品介绍 产品信息 产品名称: 六方氮化硼 h-BN 产品型号: AM-HBN-CM-01 规格: 微米级/亚微米级/纳米级 颜色:白色 晶型: 六方 熔点: 3000 ℃ 纯度:>99.9% 密度: 2.27 g/cm3 比表面积:4.86m2/g 制备方法: 化学气相沉积法
添加1wt%h-BN的涂层具有更高的LAGB比。添加h-BN后,涂层表面的平均晶粒尺寸较小,LAGB密度较高,这导致在钝化过程的初始成核和形成过程中有更多的成核位点,从而加速了钝化的成核。因此,在表面溶解和氢氧化物吸附、钝化膜生长和钝化膜增厚的过程中,形成了更致密的钝化膜。涂层具有更好的耐腐蚀性。
然后,通过在h-BN生长之前用Ni掺杂Cu箔(即CuNi衬底)来降低h-BN片中的缺陷密度,这会增加氨硼烷晶种在Cu箔上的溶解度,从而导致较少的前驱体晶种和更大的h-BN晶粒。当比较使用在Cu和CuNi衬底上生长的h-BN的器件时(图4d,即分别具有高和低缺陷密度),可以清楚地看到第二个器件显示出较低的HRS电流和较高的开关...
氮化硼是由氮原子和硼原子所构成的晶体,分子式为BN,分子量24.81。化学组成为43.6%的硼和56.4%的氮,理论密度2.27g/cm3。 氮化硼(BN)是一种性能优异并有很大发展潜力的新型陶瓷材料,包括5种异构体,分别是六方氮化硼(h-BN),纤锌矿氮化硼(w-BN),三方氮化硼(r-BN)、立方氮化硼(c-BN)和斜方氮化硼(o-BN)...
在电子器件领域,六方氮化硼(h-BN)已被证明是一种具有显著优势的导热粉体,它同时具备低密度和类石墨的层状晶型结构,在提高导热性的同时,还可以保持导热界面材料(TIM)的电绝缘性能。但要用好氮化硼,没有优秀的功能化改性工艺可不行。 功能化改性是指在不改变材料总体结构的基础上,采用物理或化学的方法改变材料的...
他们发现在溅射过程中通入氢气可显著抑制成核密度,并制备出尺寸约5微米的h-BN单晶畴,延长生长时间可以得到高质量的连续薄膜。相比于广泛使用的CVD方法,IBSD方法可以精确控制离子束的能量及束流密度,且更易于实现h-BN的可控生长。此外,IBSD属于物理气相沉积法,制备过程不涉及化学反应,有望在非金属衬底上直接生长h-...