原装现货 NTBLS1D7N08H 封装H-PSOF8 种类MOSFET 一站式配单 欢迎询价 -- 60000 ON/安森美 H-PSOF8 21+ ￥20.0000元1~-- 件 深圳和润天下电子科技有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 IPLU300N04S4-1R1 MOSFET Infineon 封装H-PSOF-8-1 批次21+ ...
H-PSOF8L 22+ ￥1.8500元1~9 个 ￥1.5500元10~99 个 ￥1.2500元>=100 个 深圳市芯方客科技有限公司 2年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 NTBL082N65S3HF 电子元器件 onsemi(安森美) 封装H-PSOF8L 批次22+ NTBL082N65S3HF 832906 onsemi(安森美) ...
封装: H-PSOF-8-1 系列: OptiMOS 5 批次: 21+ 数量: 19600 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: HSOF-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 300 A Rds On-漏源导通电阻: 750 uOhms Vg...
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摘要:英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术,为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF(散热型塑料小外形扁平引线)。首批推出的采用H-PSOF封装技术的产品是40VOptiMOS?T2功率晶体管,它们的漏极电流高达300A,导通电阻(RDS(on...
封装 H-PSOF-8-1 批号 23+ 数量 10414 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 130C 最小电源电压 3V 最大电源电压 6V 长度 4.7mm 宽度 6mm 高度 1.8mm 可售卖地 全国 型号 IPT012N06N 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
-- ￥9.0000元1~-- PCS 越特电子科技(北京)有限公司 1年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 FDBL0150N80 场效应管 ON(安森美) 封装H-PSOF-8 批次23+ FDBL0150N80 3000 ON(安森美) H-PSOF-8 23+ ￥3.9000元1~9 个 ￥2.4000元10~999 个 ...
封装: H-PSOF8L 批号: 24+ 数量: 9800 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H-PSOF-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 300 A Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOh...
英飞凌推出创新型H-PSOF封装技术L业要 一 界闻 英飞凌推 出创新型 HPO 封装技术 -SF 英 飞凌 科技 股份公 司近 1推 出一种 创新 型封 装 3 悉 J 』j 器,为对 功耗 敏感 的系 统设 计 开创 了全 新 的机 遇。 F2P6Rmr 低功耗存储器系列中的首个产 M51是atno品, 其能耗仅 为EPOER M...
2012年1月26日,德国纽必堡讯 – 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出一种创新型封装技术,为 纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF (散热型塑料小外形扁平引线)。首 批推出的采用H-PSOF封装技术的产品是40...