h-BN的拉曼光谱在不同频率下呈现出不同的特征峰,这些特征峰对应着材料中的振动模式。其中,h-BN的拉曼光谱通常包括E2g模式、A1g模式和B2g模式等。这些模式对应着材料晶格的振动和原子的相对位移,因此可以通过拉曼光谱来了解h-BN晶格的结构和性质。 通过研究h-BN的拉曼光谱,可以得到关于其结晶特性、晶格振动和电子结...
(d)ReS2/h-BN/石墨烯异质结的拉曼光谱。 基于ReS2/h-BN/石墨烯异质结的非易失性浮栅存储器示意图如图1a所示,其中ReS2、h-BN和石墨烯薄片分别作为沟道、隧穿层和浮栅。图1b显示了该器件的光学图像,石墨烯、h-BN和ReS2的厚度通过AFM表征,分别为5.6、8.5和5.1 nm。多层石墨烯(MLG)比单层石墨烯(MLG)更适...
研究团队利用WITec高分辨显微共聚焦成像系统对石墨烯/h-BN异质结进行了拉曼和PL研究。由于石墨烯和h-BN拉曼光谱的不同,拉曼成像能够清晰准确地将异质结构展现出来;得益于系统的高空间分辨率和共聚焦性能,PL光谱和成像可以展现出蓝色发光来源于h-BN和石墨烯边界处的局部能态。 图1. 石墨烯/h-BN面内异质结的表征...
图3. (a) rGO、BN-C CDs、pBN和BN-C/rGO的拉曼光谱。(b) rGO、pBN和BN-C/rGO的XRD谱图。(c) 不同样品的FT-IR光谱。(d-f) BN-C CDs的XPS高分辨率C1s、B1s和N1s光谱。 在拉曼光谱中,pBN 在 1357 cm-1处表现出 h-BN 材料的典型峰值,表明有丰富的 h-BN 结构域。BN-C/rGO显示出比rGO略低...
将ZnO和h-BN均匀混合后制备熔融锂金属的宿主骨架,熔融的锂金属接触宿主骨架后由于强亲锂性的ZnO的存在迅速灌注其中,制备这样一种杂化合金结构负极材料。从SEM图中可以看到,合金电极材料表面较为光滑均匀,厚度大约在236 nm左右。X射线衍射图谱显示了明显的LiZn特征峰,并且在Li-ZB的拉曼光谱中ZnO特征峰消失,说明熔融锂...
将ZnO和h-BN均匀混合后制备熔融锂金属的宿主骨架,熔融的锂金属接触宿主骨架后由于强亲锂性的ZnO的存在迅速灌注其中,制备这样一种杂化合金结构负极材料。从SEM图中可以看到,合金电极材料表面较为光滑均匀,厚度大约在236 nm左右。X射线衍射图谱显示了明显的LiZn特征峰,并且在Li-ZB的拉曼光谱中ZnO特征峰消失,说明熔融锂...
以六方氮化硼(h-BN)修饰玻碳电极(GCE-BN)为基底,苯酚为功能单体,通过电聚合法成功制备了可用于水样中氯氰菊酯(CYP)快速检测的分子印迹聚合膜传感器.借助拉曼光谱仪和扫描探针显微镜表征聚合膜的物相组成和表面结构,采用恒电位诱导法洗脱模板分子,差分脉冲伏安法(DPV)评价传感器的灵敏度. ...
拉曼光谱(图2b)显示I2D/IG约为1.5,表现出明显的单层高质量石墨烯特征。AFM结果(图2h)显示h-BN的高度约为0.5 nm,表明h-BN为单层。石墨烯由均一沉积的PMMA形核生长而成,因而其一致性和图案性能够得到很好的保证。图2 石墨烯/h-BN异质结形貌表征随后,石墨烯/h-BN异质结被组装成场效应晶体管(FET)。由I-V...
图2.(a) h-BN的SEM形貌图及其转移到SiO2衬底上的照片;(b) AFM单层厚度表征;(c) TEM原子分辨图;(d) 二次电子衍射图;(e) 本征h-BN及h-BN:Ge-O薄膜的吸收谱;(f) h-BN:Ge-O薄膜的拉曼光谱;(g) h-BN:Ge-O薄膜的AES组分表征;(h)-(k) h-BN:Ge-O薄膜的B 1s、N 1s、Ge 2p和O 1s的XPS能...
g)分别在SiO2/Si上转移的Gr/h-BN和纯石墨烯的拉曼光谱 h)Cu箔上完全覆盖的Gr/h-BN异质结构的SEM图像 i)在SiO2/Si衬底上转印的完全覆盖的Gr / h-BN堆叠的图片,以及OM图像作为插图 图2 初始成核和Gr/h-BN生长 a)用苯甲酸作为石墨烯前体的初始成核和Gr/h-BN生长的生长时间依赖性SEM观察(TP = 70℃)...