3. 带有单次GW (G0W0)的RPA准粒子 4. 用GW0准粒子能量绘制IPA介电函数 5. BSE计算 6. 注意 二、实际计算流程 1. 计算 2. 绘图 注:仅供个人使用,内容可能出错 参考:Dielectric properties of Si using BSE 一、计算流程 整个计算过程分为5步 1. 计算基态波函数 INCAR.DFT #Si_dft_exc System = Si...
各位老师好，我在跟随教程使用GW+BSE计算半导体GaAs的光学性质时，计算结果如下，在1.55eV出现抖动，而...
做GW-BSE计算, 推荐使用BerkeleyGW。它的使用手册很详细清楚。
根据网上的教程对体系进行GW+BSE计算，在最后一步计算BSE过程中出现错误。输入文件如下：SYSTEM =Materials...
利用基于GW近似和Bethe-Salpeter方程(BSE)的第一性原理多体微扰方法,计算了二维间接带隙半导体材料椅形硅烷(chairlike silicane)能带的准粒子修正以及光吸收谱。椅形硅烷的电子间强的相互作用显著影响着电子结构,其间接带隙从2.08 eV修正到3.53 eV,直接带隙从2.44 eV修正到3.85 eV。通过比较GW和BSE的光学吸收谱,...
摘要：单层SnS薄膜作为一种典型的二维材料，由于其电子结构中存在能隙，因此在光电和催化等领域拥有广阔的应用前景.基于第一性原理计算，采用多体格林函数理论的GW近似方法，研究了单层SnS薄膜经过准粒子修正后的能带特征和带隙宽度，并利用描述电子和空穴对的Bethe-Salpeter方程(BSE)给出了这类二维薄膜的介电函数和光...
TDDFT是将外势能部分做成随时间变化的继而可以很好的计算物质的频率响应，GW+BSE主要还是基于DFT计算的...
尝试用GW赝势优化和普通赝势优化的区别,估计不大。主要任务是解BSE方程,先搞出来相对结果。另外VASP计算要用更大的K点试验一下,或者用不对称的结构试一下。猜测也就是k点不够的结果,或者对称性太好,造成所铺的网格过小。另,测试下脚本。以及20号之前刷完冬奥课。
ALGO = BSE 结果std.out输出为：The job XXXXXXXXX is running on XXXXXXXXX running on 32 total...
但是最后一步ALGO=BSE的时候，最后提示APPLICATION TERMINATED WITH THE EXIT STRING: Killed (signal 9)...