深圳市永贝尔半导体有限公司 6年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 L99DZ100GTR 专用电源管理IC 22+ 封装LQFP-64 批次ST/意法半导体 L99DZ100GTR 25000 22+原厂代理 LQFP-64 ST/意法半导体 ￥0.9200元100~999 个 ￥0.8450元1000~4999 个 ...
三极管,全称为半导体三极管,也称为双极型晶体管或晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。而GTO(Gate Turn-Off Thyristor,门极可关断晶闸管)和GTR(Giant Transistor,电力晶体管)则是另外两种不同类型的半导体器件。 GTO是一种具有自关断能力的晶闸管,...
电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管,由于其功率非常大,所以,它又被称作为巨型晶体管,简称GTR。GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的,三层半导体材料的结构形式可以是PNP,也可以是NPN。大多数双极型功率晶体管是在重掺质的N+硅衬底上,用外延生长法在N+上生长一层N漂移层,然后在漂移层上扩散P基区,接着扩...
电力晶体管(GTR)是什么意思 电力晶体管 (GTR)，全称 Gate Turn-Off Thyristor，是一种功率半导体器件，类似于普通的晶闸管（Thyristor）。它是一种双向导通的开关器件，可以在两个方向上导通电流，但与传统的晶闸管不同，GTR 具有能够被控制关闭的特性。电力晶体管的主要特点和功能包括：双向导通性： GTR 具有双向导...
电力晶体管有与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性。它们都是3层半导体,2个PN结的三端器件,有PNP和NPN这2种类型,但GTR多采用NPN型。GTR的结构、电气符号和基本工作原理,如图1所示。 在应用中,GTR一般采用共发射极接法,如图1(c)所示。集电极电流i c与基极电流i b的比值为 β=i c/i b (1) 式中...
电力电子半导体器件(GTR)第四章电力晶体管 §4.1GTR结构 双极型大功率、高反压晶体管——GTR（巨型晶体管）GiantTransistor三层半导体材料，两个PN结(NPN型、PNP型)。一、工艺特点 三重扩散；叉指型基极和发射极；特点：发射区高浓度掺杂 基区很薄（几um—几十um）N-掺杂浓度低，提高耐压能力N+集电区收集电子...
电力电子半导体器件(GTR)第四章 电力晶体管 GTR结构§4.1GTR结构 双极型大功率、高反压晶体管巨型晶体管）双极型大功率、高反压晶体管——GTR（巨型晶体管）GiantTransistor三层半导体材料，两个PN结(NPN型、PNP型)。三层半导体材料，两个PN结(NPN型PNP型PN 一、工艺特点 三重扩散；叉指型基极和发射极；三重扩散...
GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好 mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。望...
电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管,由于其功率非常大,所以,它又被称作为巨型晶体管,简称GTR。GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的,三层半导体材料的结构形式可以是PNP,也可以是NPN。大多数双极型功率晶体管是在重掺质的N+硅衬底上,用外延生长法在N+上生长一层N漂移层,然后在漂移层上扩散P基区,接着扩...
1、第四章 电力晶体管,4.1 GTR结构,双极型大功率、高反压晶体管GTR (巨型晶体管) Giant Transistor 三层半导体材料,两个PN结(NPN型、PNP型,一、工艺特点 三重扩散;叉指型基极和发射极; 特点:发射区高浓度掺杂 基区很薄(几um几十um,N-掺杂浓度低,提高耐压能力,N+集电区收集电子,使用时要求:发射结正偏,...