GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动与保护电路实验 一、实验目的 (1)理解各种自关断器件对驱动与保护电路的要求。 (2)熟悉各种自关断器件的驱动与保护电路的结构及特点。 (3)掌握由自关断器件构成PWM直流斩波电路原理与方法。 二、实验所需挂件及附件 序号型号备注 1DJK01电源控制屏该控制屏包含“三相电源输出”等几个模...
五、实验方法 1GTR的驱动与保护电路实验 在本实验中,把DJK12实验挂箱中的频率选择开关拨至“低频档〞。然后调节频率按钮,使波输出频率在“1KH〞左右。 在主电路中,直流电源由控制屏上的励磁电源输出,负载电阻R用DJK06上的灯泡负载,直流电压、电流表均在控制屏上。 驱动与保护电路接线时,要注意控制电源及接地的...
GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动与保护电路实验一、实验目的(1)理解各种自关断器件对驱动与保护电路的要求。(2)熟悉各种自关断器件的驱动与保护电路的结构及特点。(3)掌握由自关断器件构成PWM直流斩波电路原理与方法。二、实验所需挂件及附件序号型 号备 注1DJK01 电源控制屏该控制屏包含“三相电源输出”等几个模块。
MOSFET 驱动保护电路、GTO 驱动保护电路及GTR 驱动保护电路；其中前三个电路在PE-14挂件上，剩下部分在PE-15挂件上。 图5-2 自关断器件的实验接线及原理图 四、实验内容 (1)GTR 的驱动与保护电路实验 (2)GTO 的驱动与保护电路实验 (3)MOSFET 的驱动与保护电路实验 (4)IGBT 的驱动与保护电路实验 ...
内容提示: 实验十六 GTO、MOSFET、GTR、IGBT 驱动与保护电路实验 一、实验目的 一、实验目的 (1)理解各种自关断器件对驱动与保护电路的要求。 (2)熟悉各种自关断器件的驱动与保护电路的结构及特点。 (3)掌握由自关断器件构成 PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、实验所需挂件及附件 序号 型 号备 注 1 DJK01 ...
54实验二==dql、jlpcbq、dqo、fd_q 驱动与保护电路实验=一、实验目的=ENF理解各种自关断器件对驱动与保护电路的要求。=EOF熟悉各种自关断器件的驱动与保护电路的结构及特点。=EPF掌握由自关断器件构成 mtj 直流斩波电路原理与方法。=二、实验所需挂件及附件 =序号= 型===号= 备==注=N=mbJMN= 电源控制屏=...
IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外,设计电路中选择功率器件不能只考虑频率,还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级,所以说这是个折衷考虑的结果。 30分享举报...
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驱动与保护电路接线时,要注意控制电源及接地的正确连接。对于GTR器件,采用5V电源驱动。接线时,波形的输出端接GTR驱动模块的输入端,5V电源分别接GTR电源的输入端。 实验时应先检查驱动电路的工作情况。在未接通主电路的情况下,接通驱动模块的电源,此时可在驱动模块的输出端观察到相应的波形,调节波形发生器的频率及占空...
实验九GTOMOSFETGTRIGBT驱动与保护电路实验 验九GTO、MOSFET、GTR、IGBT 驱动与保护电路实验 一、实验目的 (1)理解各种自关断器件对驱动与保护电路的要求。 (2)熟悉各种自关断器件的驱动与保护电路的结构及特点。 (3) 握由自关断器件构成PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、实验所需挂件及附件 序号 型 号 备注 ...