器件 优点 缺点 IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有 耐脉冲电流冲击的能力,通态压 降较低,输入阻抗高,为电压驱 动,驱动功率小 开关速度低于电力 MOSFET,电压,电流容量 不及GTO GTR 耐压高,电流大,开关特性好, 通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动, 所需驱动功率大,驱动电路 复杂,存在二次击穿问题 ...
【解析】 解:对IGBT、 GTR、 GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下 表: 器件 优点缺点 开关速度高,开关损耗 小,具有耐脉冲电流冲 开关速度低于电力 IGBT 击的能力,通态压降较 MOSFET,电压,电流 低,输入阻抗高,为电 容量不及GTO 压驱动,驱动功率小 开关速度低,为电流 耐压高,电流大,开关 驱动,所需驱动功率 ...
器件优点缺点 IGBT 开关速度较高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态电压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压、电流容量不及GTO GTR 电流大,通流能力强,饱和电压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大,适用于...
【简答题】说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。 答案:绝缘栅双极晶体管IGBT:(1)优点:开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。 点击查看完整答案手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】晶闸管的导通条件、关断条件、如何使导通的晶闸管关断、维持导通的条件? 答案:导通条件:在晶闸管...
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。 参考答案: 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大,与普通晶... 点击查看完整答案您可能感兴趣的试卷你可能感兴趣的试题 1.问答题试给出二极管的八种用途,要求画图并用...
解:⅛ IGBT, GTR, GTO 和电力MOSFET的优缺点的比较如卜展 器杵 优J⅛ Γ 缺点 JGBT 开炮度高*开关损耗小* H灯耐脉 冲电流冲击的能力,通态压降较低・ 输入阳抗髙,为⅛lk⅛动•駆动功率 小 开Jt速/51K?电力MoSFLr电 压・ m⅛⅛S4'⅛GT0 CiTR 耐压高,⅛⅛Aτ幵关持性好.通...
试说明IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET各自的优缺点。(第7题答案)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管___;可关断晶闸管___;功率场效应晶体管___;绝缘栅双极型晶体管___;IGBT是___和___的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是___、___和___3、多个晶闸管相并联时必须考虑___的问题,解决的...
试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。查看答案更多“试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。”相关的问题 第1题 “一带一路”构想是对古代丝绸之路、海上丝绸之路的() A.开拓与创新 B.传承与延续 C.复兴与开拓 D.继承与发展 点击查看答案 第2题 一带一路战略是对古代丝绸之路、海上丝...
答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 1、使晶闸管导通的条件是什么?加正电压,且有触发脉冲2、维持晶闸管导通的条件是什么?电流大于擎住电流3、试说明IGBT/GTR/GTO/电力MOSFET各自的优缺点. 课本上有.见图片4下列电力电子器件属于电压驱动型器件是(... 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 ...
百度试题 题目1.试说明IGBT、GTR、GTO和电力 MOSFET各自的优缺点 相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏