类似零件编号 - GT60J323 制造商部件名数据表功能描述 Toshiba SemiconductorGT60J323 175Kb/6PGate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT60J323 1Mb/73PBipolar Small-Signal Transistors GT60J323H 1Mb/73PBipolar Small-Signal Transistors More results...
GT60J323 规格参数 生命周期: End Of Life 零件包装代码: TO-3P 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 针数: 2 Reach Compliance Code: unknown 风险等级: 5.17 其他特性: HIGH SPEED 外壳连接: COLLECTOR 最大集电极电流 (IC): 60 A 集电极-发射极最大电压: 600 V 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ...
下载GT60J323下载 文件大小175.29 Kbytes 页6 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述GateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT 类似零件编号 - GT60J323 制造商部件名数据表功能描述 Toshiba SemiconductorGT60J323 ...
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全新原装现货 GT60J323 IGBT 深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部 16年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥8.50 GT60J323 全新进口现货 TO-264 IGBT 600V 33A 满就减 实图可直拍 深圳市福田区诚彬微电子商行 9年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥3.60 成交120...
种类为 绝缘栅(MOSFET), 营销方式是 拆机, 型号为 GT60J323, 封装外形是 CER-DIP/陶瓷直插, 品牌为 Toshiba/东芝, 用途是 MOS-HBM/半桥组件, 沟道类型为 N沟道, 导电方式是 增强型, 由于电子产品成千上万,款式繁多。如若您需要的款式恰巧官网上没有,请不吝与我们联系。
产品中心>分离式半导体>GT60J323(Q) 图片仅供参考,请参阅产品规格。 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL 制造商 :TOSHBIA 封装/规格 :TO3P(LH) 产品分类 :IGBTs Datasheet:GT60J323(Q) Datasheet (PDF) RoHs Status:Lead free / RoHS Compliant ...
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联系我们 品牌 TOS 批号 2019 封装 TO-3PL 数量 318 QQ 2880159928 产品识别码 ca72df64-260e-11ea-8739-00163e1552d4-24 型号识别码 621ac0ee-e702-11e8-a1fe-12bb97331649-75 定货号 06288 产品类型 普通 上架时间 2019-12-24T13:32:35 可售卖地 全国 型号 GT60J323 商家答疑(4) 我要提问 问 ...
型号 GT60J323 种类 结型(JFET) 所在地 中国 广东 汕头市潮南区 陈店镇东风二路12号 联系电话 086 0754 84484759 手机号 13502484759 联系人 洪继城请说明来自顺企网,优惠更多 让卖家联系我 产品详细介绍 品牌其他型号GT60J323 种类结型(JFET)沟道类型N沟道 ...