GS61004B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61004B是一款底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。
GS61004B-TR 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。 GaN 的特性可实现高电流、低损耗和高开关频率。 GS61004B-TR 是一款采用 GaNPX® 封装的底侧冷却晶体管,具有极低的结壳热阻,适用于 DCDC 转换器、电机驱动器、可再生能源系统和 D 类音频放大器等高功率应用。 特征描述 增强型 HEMT – 常闭 超快开关 无...
GS61004B-EVBCD评估板允许用户使用Peregrine PE29102门极驱动器以全桥配置评估氮化镓系统 (GaN Systems)的增强模式 – 高电子迁移率晶体管GS61004B。PE29102的输出能够为硬开关应用提供亚纳秒级的切换速度。 可操作高达5 MHz 晶体管驱动器可达40MHz 最佳的传播延迟 独立Vcc,匹配死区时间 集成的死区时间控制,电阻可调...
摘要:GaN Systems公司的GS61004B- evbcd评价板用于评价GS61004B增强模式高电子迁移率(E-HEMT) GaN晶体管。此评估板使用四个GS61004B GaN E-HEMT结合两个高速GaN E-HEMT驱动器。GS6... GaN Systems公司的GS61004B- evbcd评价板用于评价GS61004B增强模式高电子迁移率(E-HEMT) GaN晶体管。此评估板使用四个GS...
P/N GS61004B 上述零件號碼的 ESD 等級和濕度等級 (MSL) 是多少? 已解決! 轉到解決方案。Like 回覆 訂閱 178 檢視 0 1 回覆 所有論壇主題 上一主題 下一主題 1 回應 All replies Accepted solution Translation_Bot Community Manager 8 二月 2024 檢視原始內容: English | 原始作者: Sodum 這是...
起订数 10个起批 20个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 GS61004B-TR、 GaN Systems、 N/A 商品图片 商品参数 品牌: GaN Systems 封装: N/A 批号: 23+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作...
GS61004B 100V enhancement mode GaN transistor Datasheet Features • 100V enhancement mode power transistor • Bottom-side cooled configuration • RDS(on) = 16 mΩ • IDS(max) = 38 A • Ultra-low FOM Island Technology® die • Low inductance GaNPX® package • Simple gate ...
GS61004B-TR 由Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 GS61004B-TR 价格参考￥ 0 。 Infineon GS61004B-TR 封装/规格: SMD, JFETs N沟道 100V 38A。你可以下载 GS61004B-TR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 JFETs 详细引脚图及功能的应用电路图...
GS61004B-E01-MR型號: GS61004B-E01-MR 製造商 : GaN Systems 簡介: - PDF : PDF 庫存: 420 單價: 1 - 100 : ¥ 47.77 101 - 500 : ¥ 47.30 501 - 1000 : ¥ 46.82數量: 加入購物車 熱門產品 APTDF400AK120G APTDF400AK100G APTDF400AK60G APTDF400KK170G APTDF400KK120G ...
GS61004B-E01-MR 产品详情 Id-连续漏极电流 : 45 A Qg-栅极电荷 : 6.2 nC Rds On-漏源导通电阻 : 15 mOhms Vds-漏源极击穿电压 : 100 V Vgs - 栅极-源极电压 : 7 V Vgs th-栅源极阈值电压 : 1.3 V 安装风格 : SMD/SMT 封装: