GS-065-011-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-011-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热
The GS-065-011-1-L is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. GaN Systems implements patented Island Technology®
GS-065-011-6-LR-TRCoolGaN™晶体管700 V G4,具有极高的效率和可靠性 The GS-065-011-6-LR is an enhancement-mode GaN-on-Si power transistor with properties that allow for high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. ...
品牌 GS 包装 卷 认证机构 SCT 最小包装量 3000 数量 8960 封装 DFN 批号 23+ 输入电压范围 5.5V-100V 最大输出电压 30V 连续输出电流 2A 静态电流 140uA 固定开关频率 300KHz 集成 500mΩ 高侧功率 MOSFETs 可售卖地 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
Simulate Online - CoolGaN™ Three-phase traction inverter using module GS-065-011-1-L-TR Infineon Read More Choose various source and load parameters, number of devices to parallel, heat sink parameters etc. シミュレーションモデルツール Simulate Online - CoolGaN™ Bridgeless t...
型号: GS-065-011-1-L-E01-MR 封装: DFN5*6 批号: 20+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 7.5V 长度: 8.1mm 宽度: 9.3mm 高度: 2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
价格 ¥ 1.98 起订数 10个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 GS-065-011-1-L-TR、 GAN SYSTEMS、 DFN 商品图片 商品参数 品牌: GAN SYSTEMS 封装: DFN 批号: 21+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: ...
氮化镓功率管采用GaN Systems GS-065-011-1-L,耐压650V,导阻150mΩ,是一种增强型硅基GaN功率晶体管,具有耐高压、高电流、高开关频率等特性,十分适合应用于小体积、高功率的产品中。 GaN Systems GS-065-011-1-L资料信息。 充电头网拆解了解到,加拿大氮化镓系统公司(GaN Systems)功率管此前已被苹果140W氮化镓...
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其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1345控制器和氮化镓系统公司(GaN System)GS-065-011-1-L功率晶体管的65W PD电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi和GaN System产品的65W PD电源方案的展示板图 在移动设备充电功率不断提高的今天,高功率充电器的小型化,便携化将会成为今后的重要发展方向。在以往的认知里,功...