GS-065-011-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-011-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结...
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型号 GS-065-011-1-L-TR 技术参数 品牌: GAN SYSTEMS 型号: GS-065-011-1-L-TR 封装: DFN5*6 批号: 20+ 数量: 100000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 9V 长度: 2.8mm 宽度: 7.6mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:...
价格 ￥25.00 起订量 1件起批 货源所属商家已经过主体资质核查 物流 广东 广州 至 请选择 地区选择后自动计算运费 规格1 Default 25.00元 1000件可售 1件25.00元已选清单 交易保障 您可以放心订购,本产品已加入 百度买家保障 支付方式 支付宝微信银行转账 立即订购 加入购物车 商家电话 在线咨询 ...
■GS-065-011-1-L是硅功率晶体管上的增强型氮化镓。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统采用业界领先的先进技术进行创新,如获得专利的Island Technology®电池布局,实现高电流模具和高产量。GS-065-011-1-L是一种底部侧冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结-壳热阻。这些功能结合在一起...
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The GS-065-011-1-L is a bottom-side cooled transistor in a 5x6 mm PDFN package that offers low junction-to-case thermal resistance. These features combine to provide very high efficiency power switching.
The GS-065-011-1-L-TR is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. The GS-065-011-1-L-TR is a bottom-side cooled transistor in a 5x6 mm PDFN package that enables idea...
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