GS-065-011-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-011-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结...
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The GS-065-011-1-L is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. GaN Systems implements patented Island Technology®
GS-065-011-1-L ® Ultra-low FOM
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其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1345控制器和氮化镓系统公司(GaN System)GS-065-011-1-L功率晶体管的65W PD电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi和GaN System产品的65W PD电源方案的展示板图 在移动设备充电功率不断提高的今天,高功率充电器的小型化,便携化将会成为今后的重要发展方向。在以往的认知里,功...
GS-065-011-2-L-TRきわめて高い効率と信頼性を実現したCoolGaN™トランジスタ 650 V G3 GS-065-011-2-L-TR 、エンハンスメント モードのGaN-on-Silicon パワートランジスタです。GaNの特性により、大電流、高耐圧、高スイッチング周波数を実現します。 GS-065-011-2-L-T...
品牌 GS 包装 卷 认证机构 SCT 最小包装量 3000 数量 8960 封装 DFN 批号 23+ 输入电压范围 5.5V-100V 最大输出电压 30V 连续输出电流 2A 静态电流 140uA 固定开关频率 300KHz 集成 500mΩ 高侧功率 MOSFETs 可售卖地 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
GS-065-011-1-L The GS-065-011-1-L is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. GaN Systems implements patented Island Technology®...
型号 GS-065-011-1-L-TR 技术参数 品牌: GAN SYSTEMS 型号: GS-065-011-1-L-TR 封装: DFN5*6 批号: 20+ 数量: 100000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 9V 长度: 2.8mm 宽度: 7.6mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:...