Manufacturer Part NoN-600-2 Order Code2360465 Product RangeN Series Technical Datasheet Data Sheet See all Technical Docs 5012 Delivery in 5-6 Business Days(US stock) QuantityPrice (inc GST) 10+CNY4.240 (CNY4.7912) 50+CNY3.900 (CNY4.407) ...
Gr1、Gr2、Gr3、Gr4、Gr5、Gr7、Gr11 纯镍及镍基耐腐蚀合金箔:平板电脑手机折叠屏材料Ni201、200、哈氏合金箔 平板电脑手机折叠屏材料C-276、C22、C2000、C4、Inconel625、Incoloy825、Monel400、 K-500、Incoloy20、31、59、B-2、B3、 G30、G35、BC-1 ...
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, N通道, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-223, 表面安装 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商DIODES INC. 制造商产品编号ZXMS6005SGTA 库存编号1902501 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian 查看所有技术文档 添加进行比较 ...
目的:分析优质护理对应用健脾活血行气方治疗的脾虚血瘀气滞型2型糖尿病性胃轻瘫患者胃排空功能的影响.方法:将我院2015年10月至2016年7月期间收治的中医辨证为脾虚血瘀气滞型2型糖尿病性胃轻瘫的74例患者纳入本次研究,并随机分为优质组和一般组,均应用健脾活血行气方对两组患者实施治疗,对优质组患者实施优质护理,...
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商VISHAY 制造商产品编号SIHB105N60EF-GE3 库存编号3365527 产品范围EF IV Gen 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian ...
The IGB15N60T is a Low Loss IGBT in TRENCHSTOP™ and field-stop technology. The TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of Trench top-cell and filed stop concept. Combination of IG...
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, N通道, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-223, 表面安装图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商DIODES INC. 制造商产品编号ZXMS6005SGTA 库存编号1902501 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian 查看所有技术文档 添加进行比较 包装选项 切割卷带 复卷 3,585 有货 ...
N通道 电流, Id 连续 11A 晶体管封装类型 TO-263 (D2PAK) Rds(on)测试电压 10V 功率耗散 124W 工作温度最高值 150°C 合规 - SVHC(高度关注物质) Lead (23-Jan-2024) 漏源电压, Vds 600V 漏源接通状态电阻 0.34ohm 晶体管安装 表面安装 阈值栅源电压最大值 4V 针脚数 3引脚 产品范围 - MSL MS...
IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins Image is for illustrative purposes only. Please refer to product description. ManufacturerINFINEON Manufacturer Part NoIGB15N60TATMA1 Order Code1832353 Also Known AsIGB15N60T, SP000054921 ...
购买IPB60R180C7ATMA1 - INFINEON - 功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装。e络盟中国 专属优惠、当天发货、快速交付、海量库存、数据手册和技术支持。