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原装STGP19NC60KDGP19NC60KDIGBT管600V 35A TO220 全新现货 深圳市东柏森电子有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 STGP19NC60KDGP19NC60KDTO-220 20A 600V 全新现货库存IC询价 深圳市科诺芯电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
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GP19NC60KD STGP19NC60KD 19NC60KD MOS场效应三极管 TO-220 封装 深圳市九羽电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥4.20 STGP19NC60KD GP19NC60KD TO-220直插 MOS管场效应管 原装正品 深圳市壹嘉科技电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
STGP19NC60KD由ST设计生产。STGP19NC60KD封装/规格:工作温度/-55℃~+150℃:安装类型/插件:集射极击穿电压Vce(Max)/600V:晶体管类型/-:集电极电流 Ic/35A:额定功率/125W:集电极-发射极电压 VCEO/600V:关断延迟时间/105ns:开通延迟时间/30ns:关断损耗/0.255mJ:导通损耗/0.165mJ:元件生命周期/Active:存储...
通过下载STGP19NC60KD数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 STGB19NC60KD STGF19NC60KD - STGP19NC60KD 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT Features ■ Low on-voltage drop (V ) CE(sat) ■ Low ...
数量: X4.18547(单价)「管装(TUBE)/50」 总价: ￥ 4.18547 品牌:ST(意法半导体) 型号:STGP19NC60KD 商品编号:G3516632 封装规格:TO-220-3 商品描述:IGBT 600伏35安125瓦通孔 TO-220 数据手册 产品分类 IGBT 封装/外壳 TO-220-3 零件状态
STGP19NC60KD由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STGP19NC60KD价格参考￥4.19。ST(意法半导体) STGP19NC60KD参数名称:集射极击穿电压(Vces):600V;集电极电流(Ic):35A;耗散功率(Pd):125W;栅极电荷量(Qg):55nC;开启延迟时间(Td(on)):30ns;关断延迟时间(T
STGP19NC60KD厂家:STMicroelectronics 封装:TO-220 批号:-- 数量:1,168 - 立即发货 价格:15.610 类型:IGBT - 单路 PDF:联系我们 联系号码 服务电话: 0755-239999320755-83222787 传真号码:0755-83238256 E-Mail:szolxd@163.com QQ在线客服: STGP19NC60KD 包装 管件 系列 PowerMESH?? IGBT 类型 - ...
批量生产 储存到myST 20 A、600 V短路保护IGBT 下载数据手册 Order Direct 产品概述 描述 These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. ...