GM1203型功率放大器采用GaN HEMT工艺制备,具有高增益、高线性的特点。所有芯片产品 均经过 100% 射频测试。 GM1203 型功率芯片为双电源工作,漏极电压 VD=28V 时可在 1400~1500MHz内提供40dBm的输出功率。该芯片主要用于无线通讯等领域。关键技术指标 • 工作频率:1400~1500MHz • 饱和功率:4
GM1203A是一款低噪声、低压差线性稳压器(LDO),可提供3A输出电流,最大压降仅为180mV。该器件提供两种输出电压范围。GM1203A的输出电压可在0.5V至3.65V范围内以50mV的分辨率通过引脚进行编程,也可通过外部电阻分压器在0.5V至5.15V范围内进行调节。 GM1203A集低噪声、高PSRR和高输出电流能力等特性于一体,非常适合为...
GM1203AACPZ-1-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 3A的输出电流。压差:210mV。超低噪声:3µVRMS/0.5VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。 品牌名称 GONGMOSEMI(共模半导体) 商品型号 GM1203AACPZ-1-R7 商品编号 C5288775 商品封装 ...
品牌:GONGMOSEMI(共模半导体) 型号: GM1203AACPZ-2-R7 商品编号: G12308050 封装规格: QFN-20-EP(5x5) 商品描述: GM1203AACPZ-2-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 3A的输出电流。压差:210mV。超低噪声:3µVRMS/0.5VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。
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型号: GM1203BACPZ-3-R7 商品编号: G12338130 封装规格: QFN-20(3.5x3.5) 商品描述: GM1203BACPZ-3-R7是一款高精度低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 4A的输出电流。压差:250mV。超低噪声:3µVRMS/0.8VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。工作温度:−40°C to +125°C。
GM1203BACPZ-1-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 3A的输出电流。压差:210mV。超低噪声:3µVRMS/0.5VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。 品牌名称 GONGMOSEMI(共模半导体) 商品型号 GM1203BACPZ-1-R7 商品编号 C19272616 商品封装 ...
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