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实现功能描述:高速光电开高低温测试系统测试原理符合《GJB 128半导体分立器件试验方法》、《GJB 33A-97半导体分立器件总规范》、《SJ/Z 9014 半导体器件 分立器件》、《SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法》、《GJB 8120-2013 半导体光电模块通用规范》等相应的国家标准、国家军用标准。
GE6571一94半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管B9491一88锡焊用液态焊剂（松香基）GB11499一89半导体分立器件文字符号 GB12300-90功率晶体管安全工作区测试方法 GB33A-97半导体分立器件总规范G B360A-96电子及电气元件试验方法 gB762.1一89半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验 gB762.3一89...
根据GJB 33A规定的寿命测试时间,从指定的环境条件中取出样品,并使其达到测试的标准大气条件。从指定的环境条件中取出样品后,请在96小时内完成鉴定和高质量-高产田间试验。如果无法在指定时间内完成测量,则在测试后完成测量之前,设备至少应在相同条件下添加24H测试。
GJB128A试验方法是建立半导体器件对流电放电(ESD)损伤或退化敏感度的分类程序。本分类是根据GJB 33A规定合适的包装和操作要求,并提供符合GJB 1649要求的分类数据。 同时满足试验标准:IEC61000-4-2 ; GB/T17626.2;GJB128A;GJB1649;GJB548A;GB/T19951;IEC 61000-6-1;IEC 61000-6-2;IEC 61326;IEC 61340-3-1...
GB11499一89半导体分立器件文字符号 GB12300-90功率晶体管安全工作区测试方法 GB33A-97半导体分立器件总规范G B360A-96电子及电气元件试验方法 gB762.1一89半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验 gB762.3一89半导体器件辐射加固试验方法r瞬时拍辐照试验 gB1209一91微电路生产线认证用试验方法和程序...
新版国军标GJB1515B-2017《固体继电器通用规范》简介 第5期2019年10月 Vol.39No.5 Oct2019 机电元件 ELECTROMECHANICAL COMPONENTS 新版国军标GJB1515B-2017 《固体继电器通用规范》简介 杜月祥，钱渭，刘亚峰，宁治明，卢广宏，杨健，孙娜娜 （陕西群力电工有限责任公司，陕西宝鸡，721300）摘要：文章介绍了新版固体...