上期讲解的主要是栅触发GCNMOS,还可以通过体触发实现ESD防护。这类NMOS被称为STNMOS(Sub-stratetriggering NMOS),如图一所示。 图一.STNMOS示意图。 这类NMOS是将部分电流注入到Protection NMOS的衬底中,协助开启Protection NMOS中的寄生NPN三极管(前面的章节已经讲过NMOS中存在的NPN三极管)。体触发便是将维持电流Ih注...
GGSCRs: GGNMOS Triggered silicon controlled rectifiers for ESD protection in deep sub-micron CMOS processes 所用工艺:<0.25um CMOS工艺> 器件剖面:<剖面> TLP测试数据:<测试数据图表> 文章结论与创新点:<自拟> 本文提出了一种新的器件GGSCR,通过引入外部触发源来触发SCR器件,从而降低SCR器件的触发电压。同时...
二極體串 ESDDiode StringElectrostatic Discharge (ESD) has always been one of the most important reliability issues for an integrated circuit (IC) design. The principle of ESD is to use a ESD protection circuit to bypass excess electrostatic charges that come in contact with the IC pins and ...
果表明,平行式金属布线下GGNM0S器件的ESD鲁棒性更好。 关键词:栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管;静电放电;双极型一互补型金属氧化物半导体一双扩散金 属氧化物半导体工艺;叉指;金属布线;失效电流 中图分类号:TN306 文献标识码:A 文章编号:1000—3819(2013)02—0194—05 ...
本文通过器件仿真工具MEDICI 分析了对深亚微米ESD 保护器件GGNMOS 产生影响的关键因素,得到仿真数据,这些 数据可以为设计提供指导,有利于提高设计效率,设计出高 性能的ESD 保护器件,降低设计成本。 参考文献 [1]Nitin Mohan,Auil Kumar.Modeling ESD Protection.IEEE POTENTIALS.February/ March,2005 [2]Jung-...
For decades, a traditional workhorse device for ESD protection for standard applications in CMOS technology has been the grounded-gate NMOS device (ggNMOS). Nevertheless, we have been explaining the operation of this device countless times, including as recently as 3 weeks ago. So, it is time ...
4 结论 本文通过器件仿真工具MEDICI分析了对深亚微米ESD保护器件GGNMOS产生影响的关键因素,得到仿真数据,这些数据可以为设计提供指导,有利于提高设计效率,设计出高性能的ESD保护器件,降低设计成本。 参考文献 [1]Nitin Mohan,Auil Kumar.Modeling ESD Protection.IEEE POTENTIALS.February/ March,2005 [2]Jung-Hoon ...
Grounded-gate NMOS (GGNMOS) plays a more important role in electrostatic discharge (ESD) protection because of its simple structure and low trigger voltage. Various GGNMOS based on 90nm, 65nm and 40nm CMOS process are compared to investigate its ESD characteristic changes with process advancing. ...
基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体(Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS)的静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护性能进行研究.由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实际应用中受到限制.本文通过计算机辅助设计技术仿真及传输线脉冲实验研究了工艺参数及版图结构对...
ggnmos叉指宽度与金属布线对esd防护性能的影响 effects of finger width and metal routing of ggnmos on esd protection 第33卷 第2期 固体电子学研究与进展 V01.33,No.2 2013年4月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Apr.,2013 GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD 防护性能的影响+ 梁海莲1’2董树荣2顾晓峰r峄李明亮2韩雁2...