在某些情况下，启用ADC的连续转换模式可能会导致数据错位。可以尝试禁用此模式，并在需要时通过软件触发ADC...
E230 是 M23 内核，和以往 GD 型号的 M3、M4 总线架构有区别，Flash 操作时 DMA 会出现阻塞，当 Flash 操作（主要是擦除时间比较久，编程操作时间短，每次编程间有间隔）时，最好暂停使用DMA 的外设，特别是 adc，避免 Flash 操作期间请求丢失导致后续搬运 buff 数据错位。6.4 功能升级 GD32E230 相比 STM32...
E230 是 M23 内核,和以往 GD 型号的 M3、M4 总线架构有区别,Flash 操作时 DMA 会出现阻塞,当 Flash 操作(主要是擦除时间比较久,编程操作时间短,每次编程间有间隔)时,最好暂停使用DMA 的外设,特别是 adc,避免 Flash 操作期间请求丢失导致后续搬运 buff 数据错位。 6.4 功能升级 GD32E230 相比 STM32F030 很...
E230 是 M23 内核,和以往 GD 型号的 M3、M4 总线架构有区别,Flash 操作时 DMA 会出现阻塞,当 Flash 操作(主要是擦除时间比较久,编程操作时间短,每次编程间有间隔)时,最好暂停使用DMA 的外设,特别是 adc,避免 Flash 操作期间请求丢失导致后续搬运 buff 数据错位。 6.4 功能升级 GD32E230 相比 STM32F030 很...
时，最好暂停使用DMA的外设，特别是adc，避免Flash操作期间请求丢失导致后续搬运buff数据错位。
6.3 Flash 和 DMA 操作时序 E230 是 M23 内核,和以往 GD 型号的 M3、M4 总线架构有区别,Flash 操作时 DMA 会出现阻塞,当 Flash 操作(主要是擦除时间比较久,编程操作时间短,每次编程间有间隔)时,最好暂停使用DMA 的外设,特别是 adc,避免 Flash 操作期间请求丢失导致后续搬运 buff 数据错位。
软件部分展示了关键代码片段,如初始化、测距算法和ADC配置,采用改进型飞行时间法(ToF)并通过DMA优化数据处理效率。此外,文章还讨论了调试过程中遇到的问题及解决方案,如环境光干扰和PCB布局优化。最终,该方案实现了0.05-50米范围内±1.5mm的测距精度,适用于多种应用场景。 适合人群:电子爱好者、硬件工程师、嵌入式...
6.3 Flash 和 DMA 操作时序 E230 是 M23 内核,和以往 GD 型号的 M3、M4 总线架构有区别,Flash 操作时 DMA 会出现阻塞,当 Flash 操作(主要是擦除时间比较久,编程操作时间短,每次编程间有间隔)时,最好暂停使用DMA 的外设,特别是 adc,避免 Flash 操作期间请求丢失导致后续搬运 buff 数据错位。
6.3 Flash 和DMA操作时序 E230 是 M23 内核,和以往 GD 型号的 M3、M4 总线架构有区别,Flash 操作时 DMA 会出现阻塞,当 Flash 操作(主要是擦除时间比较久,编程操作时间短,每次编程间有间隔)时,最好暂停使用DMA 的外设,特别是 adc,避免 Flash 操作期间请求丢失导致后续搬运 buff 数据错位。
6.3 Flash 和 DMA 操作时序 E230 是 M23 内核,和以往 GD 型号的 M3、M4 总线架构有区别,Flash 操作时 DMA 会出现阻塞,当 Flash 操作(主要是擦除时间比较久,编程操作时间短,每次编程间有间隔)时,最好暂停使用DMA 的外设,特别是 adc,避免 Flash 操作期间请求丢失导致后续搬运 buff 数据错位。