三星电子近日宣布,成功开发出业界首款36GB 12H HBM3E DRAM,进一步巩固了其在高容量HBM市场领域的领先地位。该产品采用了TSV技术,将24Gb DRAM芯片堆叠至12层,实现了业界最大的36GB HBM3E 12H容量。 据了解,HBM3E 12H具备高达1280GB/s的带宽和目前市场上最大的36GB容量。与前代8层堆叠的HBM3 8H相比,在带宽...
通过采用TSV技术，三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层，从而实现业界最大的36GB HBM3E 12H容量。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于前代8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时三星还通过先进的TC NCF（热压的非导电薄膜）技术使12H产品与8H产品具有相同...
IT之家 2 月 27 日消息，三星电子今日官宣发布其首款 12 层堆叠 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的 HBM 产品。三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s，产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。“当前行业的人工...
据悉，HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB；相比三星电子8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示：“业界对容量更大的HBM的要求越来越高，HBM3E 12H正是为了满足这一需求而设计的。”“这是开发多层堆叠H...
美光确认，将在明年初大批量出货交付HBM3E高带宽内存，首要客户就是NVIDIA。如今，NVIDIA A100/H100计算卡热卖，对于HBM的需求也空前高涨，动辄单卡几十GB，最近宣布的Grace Hopper超级芯片，双路系统就需要282GB HBM3E。美光的HBM3E又叫第二代HBM3，1βnm工艺制造，单颗容量24GB，堆叠了八颗24Gb Die，数据率最...
三星电子近期研发的这款36GB HBM3E 12HDRAM确实在业界引起了广泛关注。其宣称的带宽新纪录,不仅展现了三星在半导体技术领域的持续创新能力,也为整个存储行业树立了新的性能标杆。 HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)是一种专为高性能计算设计的内存技术,其特点在于极高的数据传输速率和低延迟。而HBM3E作为HBM的...
顶点光电子商城7月28日消息:近日,美光科技宣布,已开始送样其首款8-high 24GB HBM3 Gen2内存产品。 美光HBM3 Gen2内存具有 1.2 TB/s 的聚合带宽和最高容量的 8 高堆栈 24GB的容量(为业界首款),与其他8高HBM3内存相比,容量增加了50%,工艺方面采用了1β (1-beta) 制造工艺制造,每瓦性能提高了2.5倍。
今天三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠。其提供了高达1280GB/s的带宽，加上36GB容量，均比起之前的8层堆栈产品提高了50%，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。HBM3E 12H DRAM采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求...
集微网消息,三星2月27日宣布开发出业界首款12层堆叠HBM3E 12H高带宽存储芯片,这也是迄今为止容量最高的HBM产品,达36GB,带宽高达1280GB/s。与8层堆叠HBM3产品相比,这款新品在容量、带宽方面都提高了50%以上,可显著提高人工智能(AI)训练、推理速度。
据介绍，B300系列设计经过大幅调整，将采用台积电4NP制程，其运算性能将比B200系列高出50%，但TDP需要提升至1400瓦，相比GB200仅高出200瓦。B300预期在B200系列推出后约半年上市。B300的第二个升级是采用12层HBM3E內存堆叠，提供288 GB內存与8 TB/s频宽。这将显著加快训练与推论速度，将推理成本减少最多达三倍，...