(1)Trench first是大马士革工艺发展出来最先使用的,此方法顾名思义,首先在电介质上蚀刻出trench的图案,然后进行Via的曝光和蚀刻出图案。Trench first的缺点在于Via的光刻时,由于PR会填充在trench里面,导致PR较厚,造成曝光(exposure)和显影(development)较困难。 (2)Via first顾名思义就是先进行Via的蚀刻,然后进行tr...
对于HK first工艺,需要清理corner的metal residue,对于HK last工艺需要清理残余的OX residue。3D gate corner residue clean非常重要。在etch过程中采用高的bias power有利于保持gate vertical的profile和residue 的去除。 Gate 连接N-Well and P-Well,需要被Trimmed。 -6- Wafer clean 重复上面的操作: -7- 继续dep...