之所以用gap而不使用“能隙”和“带隙”等词汇,是因为“能隙(energy gap)”主要是针对孤立体系(分子,团簇和量子点等,此后统称分子)的概念,而“带隙(band gap)”是具备周期性的固体(此后统称固体)中特有的概念,为了描述方便我们统称gap。 对所有使用密度泛函理论(density functional theory, DFT)计算的工作者来说...
由于电子是从VBM电离到CBM,所需的能量正是band gap,所以transport gap也等于band gap。所以在固体中,fundamental gap, transport gap和band gap是同一个物理量,只是定义的角度不同。 在固体中,电子被光激发后,会在之前的价带形成空穴,这对电子和空穴会由于库伦力而相互吸引,形成一个整体呈电中性的粒子对。与分子...
由于电子是从VBM电离到CBM,所需的能量正是band gap,所以transport gap也等于band gap。所以在固体中,fundamental gap, transport gap和band gap是同一个物理量,只是定义的角度不同。 在固体中,电子被光激发后,会在之前的价带形成空穴,这对电子和空穴会由于库伦力而相互吸引,形成一个整体呈电中性的粒子对。与分子...
band gap禁带宽度(Band gap)是固体中电子能量不连续取值形成的带隙宽度,单位通常为电子伏特(eV)或焦耳(J),反映了价电子被束缚强弱程度及产生本征激发所需的最小能量,是决定半导体材料导电性和器件性能的重要特征参量。 能隙(band gap)的深入解析 能隙的基本定义 能隙,亦称作禁带宽度(Band ...
能带间隙(band gap) 理论上,研究价带间隙的方法通常是通过在量子化学层面上基于Hartree– Fock (HF) method 或 density functional theory (DFT)进行研究。因此,大量的手稿给出了中性分子的分子轨道(MO)计算的结果。从一开始,需注意MOs对应于一个电子波函数,每个电子波函数都与一个特定的能级相关,最重要的是最高...
For a metal this can be a very small energy in the semiconductor the next higher states lie above the band gap. 对于金属这可能是一个非常小的能量在半导体下一个更高的国家谎言以上的带隙。 zhidao.baidu.com 2. It is found that this kind of photonic crystal can enlarge the band gap compared...
band gap 带隙,能带隙 band gap reference 【计】 带隙基准 band gap energy 带隙能 optical band gap 光禁带 direct band gap semiconductor 直接跃迁半导体 band with 和…联合 in band n.同带信号传输(带内) bridge the gap 弥合分歧,消除差距 Radar gap 根号与文字高度间距 analytical gap ...
band gap 英 [bænd ɡæp] 美 [bænd ɡæp]带隙
Related to Band gap:Fermi level band·gap (bănd′găp′) n. The difference in energy between electron orbitals in which the electrons are not free to move (calledvalence bands) and orbitals in which they are relatively free and can carry a current (calledconduction bands). ...