答:GaP虽然为间接帯隙半导体材料,但在GaP中掺入等电子杂质时,等电子杂 质可以俘获电子(或空穴),成为等电子陷阱,等电子陷阱通过短程势俘获电子(或空穴)之后,成为负电(或正电)中心,可以借助长程库伦作用吸引一个空穴 (或电子),于是形成了等电子陷阱上的束缚激子。2这种束缚是一种短程力,可以使陷阱内电子局限在一...
【题目】氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)材料都是半导体材料。请回答下列问题:()写出基态原子的核外电子排布式(2)GaN、GaP、GaAs具有相同的
16.磷化镓(GaP)是一种由ⅢA族元素与VA族元素人工合成的Ⅲ-V族化合物半导体材料,其晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的C原子被P原子代替,顶点和面心的C原子被Ga原子代替。已知原子坐标参数可表示晶胞内各原子的相对位置,如图2为沿y轴(如图1)投影的磷化镓晶胞中所有原子的分布图,其中原子1的原子坐标参数为(0.25,0.25...
半导体材料GaN、GaP、GaAs的晶体结构均属于金刚石型(如图)。下列说法正确的是 A. 第一电离能:Ga>As B. 三种晶体中Ga的配位数均为6 C. 熔点:GaN
【题目】GaN、GaP、GaAs等是半导体材料,其晶体结构与单质硅相似,GaAs可用Ga(CH3)3(常温下为无色液体)和AsH3高温反应制得,同时生成另一种产物。回答下列问题:(1)基态Ga原子的最高能层电子排布图为与P同周期主族元素的基态原子中,第一电离能比P大的有(填元素符号)。2)Ga(CH3)3分子中Ga原子和碳原子的杂化...
(2)GaN、GaP都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示:物质GaNGaP熔点/℃17001480解释GaN、GaP熔点变化原因
第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,是4G时代的大部分通信设备的材料。第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表,是5G时代的主要材料。第三代半导体的性能优势在于耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。第三代半导体是急需发...
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GaN、GaAs、GaP都是良好的半导体材料,晶体类型与晶体硅相同,它们的熔点如下表:晶体GaNGaAsGaP熔点/℃170012381480解释它们熔点变化的原因___
【题目】 GaN 、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料 , 其晶体结构均与金刚石相似。 铜 是重要的过渡元素 , 能形成多种配合物,如C u 2 + 与乙二 胺 (H 2 N-C H 2 -C H 2 - NH 2 )可形成如图所示配离子。回答下列问题: (1 )基态 Ga 原子价电子的轨道表达式为 ___ ; (2 )熔点: G...