wafer bowBy means of our patented strain engineering technology, we achieved high crystal quality and near zero wafer bow on our 150 mm GaN-on-Si wafers. To show the feasibility of our wafers for HEMTs with large gate periphery, we investigated the buffer breakdown(VBR) yield on device ...
图4 – 不同 InP-on-Si 生长方法的示意图:(a) nano-ridge engineering; (b) blanket growth with strain relaxed buffers, and (c) wafer reconstruction. 制造InP-on-Si HBT 的第一种方法(图 4b)使用直接沉积在 Si 顶部的应变松弛缓冲层,以补偿 Si 和 InP 之间 8% 的晶格失配。接下来,InP直接生长在...
Homray Material as the leading manufacturers and suppliers of GaN Epi (Epitaxial) Wafer, GaN-On-Si Epi Wafer For Power, GaN HEMT Epi Wafer For E-Mode/D-Mode, GaN-on-SiC Epi Wafer For RF. We can produce wide range of Compound Semiconductor Substrate and E
Homray Material as the leading manufacturers and suppliers of GaN Epi (Epitaxial) Wafer, GaN-On-Si Epi Wafer For Power, GaN HEMT Epi Wafer For E-Mode/D-Mode, GaN-on-SiC Epi Wafer For RF. We can produce wide range of Compound Semiconductor Substrate and E
而在2019年上半年Cree所宣布的10亿美金大扩产中，GaN的外延（on SiC）和器件制造也是包含其中，目前其功率和RF产品主要还是在原来的工厂，而新增的扩产计划和新建工厂有望将wafer产能扩张至原来的30倍，晶圆尺寸也将从4-6寸扩展到6-8寸，并且生产效率还将显著提升。图14：Cree对Infienon RF部门收购后的实力增强...
意法半导体是GaN MMIC另一个领先竞争者,虽然在硅基氮化镓(GaN-on-Si)而不是SiC领域。通过与MACOM的合作,意法半导体正将目标瞄准全球5G基站应用,扩大150毫米硅基氮化镓(GaN-on-Si)的生产能力,并进一步扩大至200毫米晶圆的生产规模。该公司还宣布计划将这一目标扩展到手机应用上。 NXP在荷兰和法国都有工厂,并用GaN...
GaN-on-Si技术在毫米波的应用
第一个问题是，因为氮化镓材料（Bulk Wafer）的体积很小，所以以前只能制造低价的芯片，有些产品连测试都做不到。之前只能制造2寸的芯片，现在已经能制造4寸了。业内普遍认为，要大规模生产功率半导体，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前还不能大规模生产。此外，上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的...
Homray Material as the leading manufacturer and supplier of Silicon Carbide (SiC) Wafer, SiC Substrate Wafer, Gallium Nitride(GaN) Substrate Wafer, GaN-On-Sapphire Template Wafer, SiC Epi Wafer for the wide bandgap semiconductor. We can produce wide rang
第一个问题,由于 Bulk Wafer(氮化镓体块)的尺寸较小,因此之前仅能生产出低成本的晶圆产品,某些产品甚至无法满足测试要求。一直以来,都仅能生产出2英寸晶圆,如今终于可以生产出4英寸晶圆。业界普遍认为只有6英寸以上的大尺寸晶圆才可以满足功率半导体的批量生产需求,所以如今还没有达到可以...