本发明公开了一种n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及其制备方法,主要解决现有n型GaN层应力较大的问题。其自下而上包括:c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6),其中n型GaN层(3)采用对称掺杂结构,包含上下对称的五层...
在半导体制造中,掺杂是指在半导体基材的晶体点阵中引入外来原子,使其电学性能发生大幅变化,形成N型(电子)或者P型(空穴)半导体。比如,在GaN中掺杂Si、Ge元素会形成 n型半导体。 光电元器件既需要n型材料,也需要p型材料。向GaN中引入电子和空穴,并将其转移到激活层,电子和空穴在激活层重新结合并发出光。GaN是三代...
n型gan的电阻率 N型物质是一种半导体材料,其电阻率取决于掺杂剂的浓度。在掺杂剂碳(C)或磷(P)的情况下,N型材料的电阻率较低。 N型半导体材料的电阻率通常在1×10^-4 Ω·m到1×10^4 Ω·m之间。具体的电阻率取决于掺杂剂浓度、材料的温度和材料结构等因素。掺杂剂的浓度越高,电阻率越低。 需要注意...
Oshima 团队以 GeCl4为掺杂源,利用 HVPE 生长获得 GaN 晶体表 明即使在高 Ge 掺杂浓度下 GaN 仍然具有优异的性 能,是一种非常具有发展前景的 n 型 GaN 制备方法。通过 Si 掺杂和 Ge 掺杂可以把 GaN 的载流子浓 度提高到 1018cm-3以上,满足高功率(光电和电子) 垂直器件的需求;通过对 n 型 GaN 的生长...
从导电类型来看,未掺杂的GaN通常呈n型导电,这是由于材料中天然存在氮空位或氧杂质,提供自由电子。但通过受主掺杂(如镁、锌),可制备p型GaN。例如,日本名古屋大学的研究表明,镁掺杂浓度达到1×10¹⁹ cm⁻³时,p型GaN的空穴迁移率可达10 cm²/(V·s)。 二、n型与p型GaN的对比 1. n型GaN - ...
制备GaN器件都会涉及到掺杂问题。在室温下,未掺杂GaN的载流子浓度可达1017cm-3,材料呈n型。GaN材料的n型掺杂很容易实现,比如掺Si后电子浓度可最高可达1020cm-3。此外,还可以在GaN材料中掺入Ge、Se以及S等元素来实现n型掺杂。然而,GaN材料的p型掺杂却遇到了很多的问题。起先,采用MOCVD法生长GaN材料时,即使Mg的...
对n型GaN和p型GaN的迁移率是反映半导体的导电性的重要参数。相同的掺杂浓度,当载流子的迁移率越大时,半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅与电导率的强弱有关,而且直接决定着载体运动的速度。它直接影响半导体器件的工作速度。本文研究掺杂浓度对n-GaN和p-GaN载流子浓度和迁移率的影响。 关键词:掺杂浓度; n-...
由于石 英反应器的普遍使用,HVPE 法生长获得的非故意掺杂 GaN 不可避免地存在施主型杂质 Si 和 O,使其表现为 n 型电学性质,载流子浓度高,导电率低,限制了其在高频大功率器件的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最 普遍的方法,通过不同掺杂剂的掺杂利用可以获得不同类型的 GaN 单晶衬底,提高其电化学特性,满足...
未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品,都是高补偿的。据有关研究人员报告GaN最高迁移率资料在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn=1500cm2/v·s,相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年报导的MOCVD沉积GaN层...
21、所述漏极掺杂层的厚度大于所述n面algan势垒层、所述插入层和所述n面gan沟道层的厚度之和。 22、在一个可实现的方式中,所述源极掺杂层和所述漏极掺杂层的材料均包括n型掺杂gan; 23、所述源极掺杂层和所述漏极掺杂层的掺杂浓度为5e19～5e20cm-3。