hemt开关器件gan开关电路微波algan 摘要I 摘要 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体料,具有高热导率、高击穿电压、高电 子漂移率、耐高温、耐高压、抗辐照等优势,适用于毫米波数字相控阵雷达系统当中。 T/R组件是雷达系统的核心部件,其性能的优劣直接影响雷达系统的发展。作为收发 系统中的前端组件,开关电路的插入损...
This paper will introduce the basic principles and characteristics of AlGaN/GaN HEMT from the aspects of physical characteristics, device structure and working principle, and then elaborate the research status and related theories of high-field degradation effect and temperature characteristics in detail....
gan基hemt热效应与耐压新结构分析-thermal effect and pressure resistance analysis of gan - based hemt.docx,独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他
摘要为了减小氮化镓驱动电路高频工作时的损耗,针对共栅共源氮化镓高电子迁移率晶体管(Cascode GaN HEMT)提出一种高频谐振驱动电路,采用储能元件替代传统驱动电路中的耗能元件,电感电流为GaN器件栅极电容充/放电,有源密勒钳位电路抑制桥臂串扰。该文重点研究高频谐振驱动电路的工作模态,对电路损耗进行详细分析,给出电感取值...
GaN HEMT器件的制备工艺 32 3.2.1台面隔离工艺 32 3.2.2欧姆接触工艺 32 1 山东大学硕±学位论文 3.2.3肖特基接触工艺 33 3.3器件特性与测试 33 3.3.1霍尔测试 33 3.3.2电学性能测试 巧 第四章GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件的载流子迂移率对比研究 % 4.1 GaN HEMT器件的载流子迁移率 % 4丄1 GaN HEMT...
III-nitrides based high electron-mobility transistors (HEMTs) are well-known excellent candidates for high-power, radio-frequency (rf) and high-temperature applications. However, HEMTs have to face the essential issues of high gate leakage current and drain current collapse (gate-lag), which inev...
基于GaN晶体管的高效率RF-DC整流器 摘要 摘要 微波无线输能技术的发展，对RF-DC整流器的提出了越来越高的要求。整流器整流效率的高低，成为制约整个系统能量传输效率高低的关键。第三代半导体材料GaN，以其优异的电学特性使GaN HEMT成为理想的整流器件，基于GaN 的RF-DC整流器研究逐渐成为热点。本文的主要工作有以下...
基于GaN-HEMT 器件的双有源桥 DC-DC 变换器的软开关 分析 刘佳斌; 肖曦; 梅红伟 【摘要】对运用双有源桥 DC-DC 变换器(DAB)的软开关电路进行了建模,并依据 此模型,对运用不同开关管的 DAB 软开关范围进行对比.首先,介绍传统移相控制下 的 DAB 的工作原理,推导辅助电感的电流值.然后,对 DAB 的左右全桥...
GaN/AlGaN HEMTDNA layer characterizationcharge transfer resistanceWarburg elementdynamic detectionCharacterization and optimization for biosensor implementation with open gate AlGaN/GaN transistors is described. Probe-DNA was immobilized on the gate. As target, complementary DNA at 10~(-12) - 10~(-7) ...
电子科技大学 UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA 硕士学位论文 MASTERTHESIS 论文题目GaN-HEMT器件自热效应研究及其优化 学科专业微电子学与固体电子学 学号201121031039 作者姓名** 指导教师周伟 分类号密级 UDC 注1 学位论文 GaN-HEMT器件自热效应研究及其优化 吴杰 指导教师周伟副教授 电子科技大学成都 申...