首先是对系统的安全要求,如果应用需要故障安全操作,常关型的E-MODE GaN是更好的选择;而常开型的D-Mode GaN,在系统可以通过外部控制实现安全操作时则更加适合,因为D-Mode GaN可以提供更快的开关速度和更高的频率、更低的损耗。 在高频应用中,D-Mode相对更有优势,同时其低导通电阻和高速开关的特性,在散热受限的...
按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型（D-mode）和常关的增强型（E-mode）两种类型；按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。CONTENT 目录 01 耗尽型（D-mode...
首先是对系统的安全要求,如果应用需要故障安全操作,常关型的E-MODE GaN是更好的选择;而常开型的D-Mode GaN,在系统可以通过外部控制实现安全操作时则更加适合,因为D-Mode GaN可以提供更快的开关速度和更高的频率、更低的损耗。 在高频应用中,D-Mode相对更有优势,同时其低导通电阻和高速开关的特性,在散热受限的...
D-Mode GaN是一种常开型器件,需要负向栅极电压来控制电流,具有高开关速度和低导通电阻的优势,适合高频和高效率的应用,如光伏微型逆变器、OBC、充电桩和数据中心电源等。D-Mode GaN需要通过外围元器件转换为常关型使用,其驱动兼容性好,可以使用与传统硅MOSFET相同的驱动电路。 E-Mode GaN则是常关型器件,需要正向...
02 增强型(E-mode)GaN驱动方案 一、E-mode GaN类型与特点 不同于Cascode D-mode GaN通过级联低压Si MOS来实现常关型,E-mode GaN直接对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构,改变栅极的导通阈值,从而实现常断型器件。 根据栅极结构不同,E-mode GaN又分为欧姆接触的电流型和肖特基接触的电压型两种技术路线,其中电...
02 增强型(E-mode)GaN驱动方案 一、E-mode GaN类型与特点 不同于Cascode D-mode GaN通过级联低压Si MOS来实现常关型,E-mode GaN直接对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构,改变栅极的导通阈值,从而实现常断型器件。 根据栅极结构不同,E-mode GaN又分为欧姆接触的电流型和肖特基接触的电压型两种技术路线,其中电...
D-mode氮化镓功率器件和低压MOSFET串联,共用栅极和源极,形成常关器件。 (2)E-mode/增强型 E-mode(Enhance-mode/增强型)为常关型,使用方式类似传统硅MOS,器件结构简单,适合高频化应用,增强型器件不需要负电压供电,实际应用中的氮化镓功率器件都需要是常关型的器件。
1.氮化镓GaN按照制造工艺,可以分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型,ST 氮化镓GaN 是E-mode (P-GaN) 工艺,以下的讨论都基于P-GaN。 在电源系统中,对于所有的功率器件,选择正确的栅极驱动电路及进行合理设计,是实现电源系统最佳性能和增强稳定性的必要条件。但是对于GaN ,驱动的设计有些棘...
针对GaN HEMT器件结构,华灿光电已实现在6/8英寸硅衬底上无裂纹HEMT外延的优化,在表面粗糙度和厚度一致性已达到理想的水准。同时,华灿光电也完成了D-Mode和E-Mode的工艺开发,目前可实现较好的器件结果和性能参数。据称,华灿光电GaN外延的阈值电压、耐压、栅压容限等静态参数均可对标国内外的产品。
增强型(E-mode)GaN驱动方案 一、E-mode GaN类型与特点 不同于Cascode D-mode GaN通过级联低压Si MOS来实现常关型,E-mode GaN直接对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构,改变栅极的导通阈值,从而实现常断型器件。 根据栅极结构不同,E-mode GaN又分为欧姆接触的电流型和肖特基接触的电压型两种技术路线,其中电压型...