本文介绍了一种新型的电子和光子设备制造方法,称为「dualtronics」,它利用了宽禁带半导体氮化镓(GaN)的独特性质。GaN的晶体结构打破了沿[0001]方向的反演对称性,导致两个表面具有不同的物理和化学性质。作者展示了在GaN单晶片的阳离子(镓)面制造光子器件,在阴离子(氮)面制造电子器件的可能性。这种在同一半导体晶片的...
但与SiC 和蓝宝石衬底相比,Si 衬底外延GaN 要难得多。GaN(0001)与Si(111)的晶格失配率高达16.9%,热膨胀系数失配(热失配)高达56%。因此,Si 衬底上GaN 的外延生长及其异质结构在应力控制和缺陷控制方面面临着严峻的挑战。 外延层材料的晶格常数差异,会导致Si 和GaN 外延层界面处的高密度位错缺陷。在外延生长过程...
SiC上GaN外延 与蓝宝石相比,SiC衬底(4H-和6H-晶型)与GaN外延层晶格失配程度较小(3.1%,相当于[0001]取向的外延膜),热导率更高(约3.8W*cm-1*K-1)等,此外,SiC衬底的导电性也使得可以在衬底背面制作电气接触,有助于简化器件结构。这些优点的存在吸引着越来越多的研究人员投入碳化硅衬底表面GaN外延的工作。 然而...
型号 GN0001 4英寸氮化镓晶体(硅掺)规格书材质:氮化镓晶体直径:100 ± 0.3 mm厚度:400-500 um表面取向: (0001) Ga face掺杂类型:N型 硅Si掺杂电阻率:≤0.02 ohm-cm抛光:双面抛光粗糙度Ra包装:单片盒包装 氮化镓(GaN)半导体禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度...
slab模型具体信息：四层GaN双原子层，表面是0001面（Ga面）；结构优化时最底层N原子用0.75H饱和，下...
在GaN 晶体中,由于纤锌矿结构的非中心对称 性,导致不同方向观察到的GaN晶体显示不同的面:在 c 轴方向,即[0001]方向所指的面为 Ga 面,[000-1] 方向所指的面是 N 面(性能存在明显差异,相比于 N 面,Ga 面更加稳定)。由于晶体结构的影响,晶体 的 c 轴([0001])方向具有极性。根据晶面与[0001]方 向所...
GaN(0001)表面电子结构和光学性质的第一性原理研究 First-principles study of the electronic structure and optical properties of GaN(0001) surface78阅读 文档大小:421.27K 7页 55894422上传于2015-05-20 格式:PDF 表面电子结构的第一性原理计算 热度: TiN表面电子结构及TaN各相稳定性的第一性原理计算 热度:...
在GaN 晶体中,由于纤锌矿结构的非中心对称 性,导致不同方向观察到的GaN晶体显示不同的面:在 c 轴方向,即[0001]方向所指的面为 Ga 面,[000-1] 方向所指的面是 N 面(性能存在明显差异,相比于 N 面,Ga 面更加稳定)。由于晶体结构的影响,晶体 的 c 轴([0001])方向具有极性。根据晶面与[0001]方 向所...
GaN外延膜的生长用低压金属有机物化学汽相淀积( LP-MOCVD)方法进行,衬底为蓝宝石(0001),TMGa和NH3分别为Ga和N源,H2为载气,通过改变生长时间来获得不同厚度的GaN外延膜样品。X射线双晶衍射在日本Rigaku SLX-IA型双晶衍射仪上完成,采用CuKa1辐射,电压40kV,电流100mA。样品的厚度采用JEOL 6300F场发射扫描电子显微镜...
,3.1 GaN中的位错类型,六方氮化镓中简单位错,位错线的方向可能有一部分在基面(0001)内,有一部分在柱面内。而在柱面内的部分又可能有两种存在方式,一种为平行于c轴(垂直于基面),而另 12、一种偏离c轴。对于a型位错,基面内的部分,若lb,是螺位错,而柱面内部分lb,是刃位错。对于c型位错,基面内部多半为混合...