目前,GaN同质外延工艺不成熟,一般采用异质外延生长GaN。但在异质外延过程中,外延层与衬底之间存在晶格失配和热膨胀系数失配,因此当GaN外延层厚度超过临界厚度时,会产生位错来释放失配应变。这些位错严重影响了GaN材料的光学和电学特性。在此背景下,本文研究了不同受限维度衬底上GaN外延层的临界厚度,并设计了两种新型的...
中科瑞晶根据客户需求提供不同规格的GaN衬底基片。 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价...
While for a thinner AlN buffer, more dislocations are produced in the GaN film, which deteriorates the performance of GaN. Possible generation mechanisms of cracks and more dislocations are investigated and a 100 nm AlN buffer is suggested to be a better choice for high quality GaN on SiC. ...