通常情况下,半导体的禁带宽度会随着原子间距的减小而增大。就拿 SiC 来说,它的禁带宽度比 Si 大,却又小于 C(金刚石)的禁带宽度(5.5eV)。另外,GaN 的原子间距离(0.192nm)和 SiC 的原子间距离(0.189nm)十分相近,所以二者的禁带宽度也较为接近(GaN 的禁带宽度为 3.4eV)。禁带宽度大意味着电子从价带激发到导带...