p-GaN在上面,n-GaN和蓝宝石衬底压在下面(上面三张图都是),通过金线(电极)给它提供电能,这是正装。就像汉堡包放在盘子里,一层面包(可理解为p-GaN),一层肉(发光层(MQWs(多量子阱)),再一层面包(n-GaN),盘子(蓝宝石衬底)。正装结构由于p、n电极在LED同一面,不够均匀容易出现电流拥挤现象,而且热阻较高,限...
[5]SK海力士(SKhynix) ,"轻薄短小"半导体封装的发展历程""可取代氮化镓(GaN)的蓝光半导体器件新技术" [6]东芝电子(TOSHIBA ELECTRONIC),“LED的发光原理”、“LED的波长范围” [7]晶能光电,“新一代硅衬底GaN基LED大功率芯片” [8]作者不详,“关于氮化镓材料的特性及其发展前景的探讨” [9]作者不详,“北京大...
GaN LED芯片是一种新型的LED芯片,相比传统LED芯片,具有以下优势: 1. 更高的亮度:GaN LED芯片的亮度比传统LED芯片高出数倍,能够提供更加明亮的照明效果。 2. 更低的功耗:GaN LED芯片的功耗比传统LED芯片低,能够节省更多的能源。...
利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管,做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折,十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量,虽然有很多研究人员非常关心蓝光LED的发展,却都无视白光LED的应用潜能。
在硅衬底上制备GaN基LED一直是业界梦寐以求的事情。然而由于硅和GaN这两种材料巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅衬底上制备高光效GaN基LED是不可能的。该项目经过三千多次实验，攻克了这一世界难题，发明了在材料生长和...
硅上GaN LED不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这些芯片安装到器件中,使得内量子效率接近40%。 美国能源署认为,LED照明的广泛使用,将对成本更低、效率更高的商业器件提出了要求。这两项标准被记录到LED的路线...
在GaN基LED中,电子阻挡层的设计和优化对于提高LED的性能至关重要。一方面,合适的电子阻挡层可以阻挡有源区的电子泄露,防止电子和空穴在非辐射复合中心复合,从而提高LED的内量子效率。另一方面,电子阻挡层还可以促进p-GaN区空穴注入到有源区,进一步提高LED的发光...
GaN采用蓝宝石(Sapphire)作为基板,并在基板上先长出一层以GaN为材料的的缓冲层(GaN Buffer Layer)以降低晶格不匹配的问题,最后做出了PN接面二极管(图3-6),其在当时已是非常了不起的高功率蓝色LED。然而为了提高亮度采用P-GaN/N-InGaN双异质结构(图3-7),此时所发出的蓝色光波长为440nm,但其亮度仍不是户外所...
随着芯片尺寸减小,微小尺寸GaN 基 Micro LED显示面临着显示与驱动高密度集成的难题,传统直流(DC)驱动技术会导致结温上升,降低器件寿命。南京大学团队创新提出交流(AC)驱动的单电极 LED(SC-LED)结构【见图1】,利用隧穿结(TJ)降低器件的交流工作电压。为了深入理解该器件的工作原理,我司技术团队开发了基于 AC 驱动的...